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柵極 文章 最新資訊

干貨碼住丨深度剖析IGBT柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)

  • IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個(gè)端子：一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅(qū)動(dòng)而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路一?了解基本驅(qū)動(dòng)器圖 2. IGBT的導(dǎo)通電流了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT，必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)
  • 關(guān)鍵字： IGBT  柵極  驅(qū)動(dòng)  

柵極長(zhǎng)度縮放超出硅的 FET 對(duì)短溝道效應(yīng)具有魯棒性

  • 當(dāng)今行業(yè)中發(fā)現(xiàn)的大多數(shù) FET 都是由硅制成的，因?yàn)樗哂谐錾铱芍噩F(xiàn)的電子特性。根據(jù)摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設(shè)備保持強(qiáng)靜電。過渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問題。由于2D 材料具有二維表面，因此它們具有更好的遷移率水平，包括在 0.7 A 下實(shí)現(xiàn)激進(jìn)的溝道長(zhǎng)度縮放。自從在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中引入場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 以來，理論和應(yīng)用電路技術(shù)已經(jīng)取得了多項(xiàng)改進(jìn)。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放
  • 關(guān)鍵字： 柵極  FET  

橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)

  • 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導(dǎo)通時(shí)的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)的行為。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)1 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。2 要想正確實(shí)施SiC MOSFET的柵-源電壓的浪涌對(duì)
  • 關(guān)鍵字： ROHM  橋式結(jié)構(gòu)  柵極  

橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)

  • 在功率開關(guān)器件最常見的應(yīng)用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測(cè)試電路相同的橋式結(jié)構(gòu)。對(duì)于橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎(chǔ)知識(shí)SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作”和這篇文章所依據(jù)的應(yīng)用指南“橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極電壓的行為”中，介紹了相互影響的動(dòng)作情況?！?nbsp;  具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MO
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業(yè)界大哥大——英特爾

  • 半導(dǎo)體制程工藝上，英特爾要是說第二，那沒人敢說第一。晶圓制造這個(gè)圈子，英特爾毫無疑問處于第一流，其他廠商包括IBM，英飛凌，NEC，意法半導(dǎo)體以及東芝等公司，以及目前半導(dǎo)體代工行業(yè)的老大老二老三——臺(tái)積電、GlobalFoundries、三星，統(tǒng)統(tǒng)都是二流。
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  半導(dǎo)體  柵極  

模擬電子—從放大器說起（二）：電子管

  • 在之前的章節(jié)已經(jīng)說道，如果要實(shí)現(xiàn)一個(gè)放大器的功能，需要一個(gè)固定的放大倍數(shù)(Gain)，這也就是說輸出信號(hào)應(yīng)該是跟隨輸入信號(hào)變化而變化，換句話說輸出信號(hào)應(yīng)該要受到輸入信號(hào)的控制。
  • 關(guān)鍵字： 放大器  輸入信號(hào)  三極管  二極管  柵極  

在ZVS拓?fù)渲羞x擇最優(yōu)的死區(qū)時(shí)間

  • 摘要：通過本文的分析來優(yōu)化中壓和高壓功率MOSFET在各種隔離式轉(zhuǎn)換器拓?fù)涫褂脮r(shí)的死區(qū)時(shí)間，能夠幫助工程師發(fā)現(xiàn)各種器件技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，甚至使那些過時(shí)的設(shè)計(jì)方案也能達(dá)到更好的性能。
  • 關(guān)鍵字： ZVS  MOSFET  DC-DC  IBC  柵極  201311  

Vishay發(fā)布新款斜率控制的P溝道高邊負(fù)載開關(guān)

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出可在1.5V～5.5V電壓下工作的新款上升斜率控制的P溝道高邊負(fù)載開關(guān)--- SiP32458和SiP32459。這兩款器件均具有一個(gè)集成的可提供穩(wěn)定的20m?低導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持低靜態(tài)電流的柵極泵。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  柵極  

用柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路制作的100Ｗ數(shù)字功率放大

開關(guān)電流電路故障診斷技術(shù)的初步研究

  • 由于SI技術(shù)得到廣泛應(yīng)用，而電子電路都可能有故障存在，這就提出一個(gè)新的課題：怎樣對(duì)SI電路進(jìn)行故障診斷。 ...
  • 關(guān)鍵字：   采樣  柵極  線性  激勵(lì)  

在300mV供電電壓下工作的JFET DC/DC轉(zhuǎn)換器

  • 通過利用JFET在零偏置時(shí)導(dǎo)通大電流的能力，能夠設(shè)計(jì)出一種自起動(dòng)、低輸入電壓的轉(zhuǎn)換器。...
  • 關(guān)鍵字： 繞組  電壓  柵極  偏壓  
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柵極介紹

由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中最靠近陰極的一個(gè)電極，具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線的形狀，插在電子管另外兩個(gè)電極之間,起控制板極電流強(qiáng)度、改變電子管性能的作用。 　　在場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極是由英文gate electrode翻譯而來的.位置類似于晶體三極管中的Gate. [ 查看詳細(xì) ]

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