晶體管文章最新資訊

晶體管的工作狀態(tài)判斷和工作條件

晶體管的工作狀態(tài)判斷和工作條件-晶體管是模擬電路中基礎(chǔ)的器件，對(duì)于電子工程師來(lái)說(shuō)，了解晶體管工作的條件和判斷晶體管的工作狀態(tài)都是非?；A(chǔ)的，本文將帶大家一起學(xué)習(xí)或回顧一下。
關(guān)鍵字：晶體管模擬電路三極管

什么是函數(shù)信號(hào)發(fā)生器，函數(shù)信號(hào)發(fā)生器的作用，函數(shù)信號(hào)發(fā)生器的工作原理

什么是函數(shù)信號(hào)發(fā)生器，函數(shù)信號(hào)發(fā)生器的作用，函數(shù)信號(hào)發(fā)生器的工作原理-函數(shù)信號(hào)發(fā)生器是一種能提供各種頻率、波形和輸出電平電信號(hào)的設(shè)備。在測(cè)量各種電信系統(tǒng)或電信設(shè)備的振幅特性、頻率特性、傳輸特性及其它電參數(shù)時(shí)，以及測(cè)量元器件的特性與參數(shù)時(shí)，用作測(cè)試的信號(hào)源或激勵(lì)源。
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射頻MOS功率放大電路模擬器的設(shè)計(jì)方案分析，射頻功率放大器的特性與使用好壞分析

射頻MOS功率放大電路模擬器的設(shè)計(jì)方案分析，射頻功率放大器的特性與使用好壞分析-窄帶的穩(wěn)定電路是進(jìn)行一定的增益消耗。這種穩(wěn)定電路是通過(guò)增加一定的消耗電路和選擇性電路實(shí)現(xiàn)的。這種電路使得晶體管只能在很小的一個(gè)頻率范圍內(nèi)貢獻(xiàn)。另外一種寬帶的穩(wěn)定是引入負(fù)反饋。這種電路可以在一個(gè)很寬的范圍內(nèi)工作。
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“英特爾精尖制造日”首推全球晶體管密度最高的制程工藝

　　“英特爾精尖制造日”活動(dòng)今天舉行，展示了英特爾制程工藝的多項(xiàng)重要進(jìn)展，包括：英特爾10納米制程功耗和性能的最新細(xì)節(jié)，英特爾首款10納米FPGA的計(jì)劃，并宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的64層3D NAND產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)商用并出貨。　　“英特爾遵循摩爾定律，持續(xù)向前推進(jìn)制程工藝，每一代都會(huì)帶來(lái)更強(qiáng)的功能和性能、更高的能效、更低的晶體管成本，”英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營(yíng)與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith表示，“很高興首次在中國(guó)與大家分享英
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一篇文章說(shuō)清半導(dǎo)體制程發(fā)展史

半導(dǎo)體制造的工藝節(jié)點(diǎn)，涉及到多方面的問(wèn)題，如制造工藝和設(shè)備，晶體管的架構(gòu)、材料等。下面，我們就具體介紹并分析一下，供大家參考。
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“硅谷”變“碳谷”？IBM打造出世界最小晶體管

　　隨著計(jì)算機(jī)全面進(jìn)入納米時(shí)代，工程師們發(fā)現(xiàn)想要遵循摩爾定律變得越來(lái)越難了。　　1965 年，Intel創(chuàng)始人戈登·摩爾提出了提出了“摩爾定律”，即集成電路上可容納的晶體管數(shù)量大約每隔 1-2 年便會(huì)增加一倍，性能也隨之翻倍。　　五十多年來(lái)，摩爾定律一直有效，但目前業(yè)界的預(yù)測(cè)是，未來(lái) 10-15 年，在進(jìn)行三次技術(shù)升級(jí)后，芯片制造工藝將達(dá)到 5 納米，這意味著單個(gè)晶體管柵極的長(zhǎng)度將僅為10個(gè)原子大小。在此基礎(chǔ)上繼續(xù)突破幾乎是不可能的——
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半導(dǎo)體激光發(fā)生器技術(shù)及發(fā)展歷程

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【E問(wèn)E答】為什么晶體管使用越久，功耗越低？

　　眾所周知，電子系統(tǒng)芯片中的晶體管會(huì)隨著時(shí)間而逐漸老化。它們會(huì)慢慢變舊，反應(yīng)變得遲緩，毛病越來(lái)越多，甚至突然崩潰死機(jī)。不過(guò)凡事都有兩面性，雖然晶體管老化對(duì)電子產(chǎn)品不是好事，但其功耗卻隨著時(shí)間的推移而降低?！　≡谶@個(gè)快節(jié)奏、快消費(fèi)的年代，人們總是在求新、求快。不光是手機(jī)、電腦、汽車(chē)，就連我們自身，都想要時(shí)尚，新朝，不落伍。如果我想說(shuō)老有老的好，舊有舊的妙，你一定不能認(rèn)同。但事實(shí)確是如此，我們不妨看幾個(gè)例子?！　∥覀兌贾榔?chē)有一個(gè)磨合期，新車(chē)在最初的2000公里里程內(nèi)要注意磨合，以便各個(gè)部件比較順暢地吻合
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探索晶體管驅(qū)動(dòng)負(fù)載的技巧

在電子制作時(shí)，經(jīng)常涉及到需要控制蜂鳴器、繼電器、電機(jī)等元件，發(fā)現(xiàn)晶體管負(fù)載的不同接法，效果差別很大，有的接法甚至?xí)?dǎo)致電路工作不可靠，下面將介紹常見(jiàn)的負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)電路及元器件的選擇和使用進(jìn)行討論。
關(guān)鍵字：晶體管驅(qū)動(dòng)電路電機(jī) 繼電器驅(qū)動(dòng)負(fù)載

系統(tǒng)詳解開(kāi)關(guān)電源的基本工作原理

幾種基本類型的開(kāi)關(guān)電源　顧名思義，開(kāi)關(guān)電源就是利用電子開(kāi)關(guān)器件（如晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅閘流管等），通過(guò)控制電路，使電子開(kāi)關(guān)器件不停地“接通”和“關(guān)斷”，讓電子開(kāi)關(guān)器件對(duì)輸入電壓進(jìn)行脈沖調(diào)制，
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制作50W晶體管功放電路的方法

此功法電路可謂一裝即成，特別適合初學(xué)者制作。這款功放一聲道只需17個(gè)零件，卻收到了意想不到的效果，還音效果真實(shí)，頻響平直，解析力高，且功率可以達(dá)到50W。
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美科學(xué)家研制出新型真空溝道晶體管

　　雖然真空管曾經(jīng)一度是早期電子元器件的基本核心組件，但是截止到上個(gè)世紀(jì)七十年代，真空管就已基本被半導(dǎo)體晶體管所全部替代。可是，近年來(lái)美國(guó)航空航天局(NASA)艾姆斯研究中心的研究人員一直在開(kāi)發(fā)可將真空管和現(xiàn)代半導(dǎo)體晶體管的優(yōu)勢(shì)融為一體的“納米真空溝道晶體管”(NVCTs, nanoscale vacuum channel transistors)。　　與傳統(tǒng)晶體管相比，納米真空溝道晶體管的速度更快且對(duì)高溫和輻射等極端環(huán)境的抵抗能力更強(qiáng)。這些優(yōu)勢(shì)使納米真空溝道晶體管成為了抗輻照
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堵住電流泄漏:摩爾定律在晶體管發(fā)展中繼續(xù)有效

　　多年來(lái)這個(gè)定律一直在發(fā)揮作用。第一個(gè)集成電路(由德州儀器的杰克?基爾比發(fā)明，見(jiàn)圖)還只是一個(gè)笨拙不堪的大家伙，而現(xiàn)在晶體管已需用納米(1米的十億分之一)來(lái)計(jì)量。人們以摩爾定律的發(fā)展速度創(chuàng)造了快速而智能化的計(jì)算機(jī)，圖案漂亮并將世界聯(lián)接在了一起。從摩爾博士創(chuàng)立這個(gè)定律的時(shí)候起，人類就進(jìn)入了一個(gè)不可思議的信息技術(shù)時(shí)代。本來(lái)一個(gè)不經(jīng)意的發(fā)現(xiàn)竟有如此強(qiáng)大的生命力。　　其實(shí)它并不是一條真正的定律，而只是一種現(xiàn)象，一種對(duì)技術(shù)發(fā)展漫漫征程的描述，發(fā)展的每一步都包含著具體的技術(shù)變革(見(jiàn)圖表)。技術(shù)發(fā)展勢(shì)不可擋，已成預(yù)言
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東芝新晶體管陣列具有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能

　　東京—東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布面向游樂(lè)設(shè)備LED照明、工業(yè)設(shè)備高電壓信號(hào)發(fā)射機(jī)等應(yīng)用推出新一代晶體管陣列“TBD62089APG”。該新IC在輸入部分集成了為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能提供支持的D型觸發(fā)器電路(8位類型)。樣品發(fā)貨即日啟動(dòng)，量產(chǎn)計(jì)劃于2016年12月開(kāi)始?！　∮螛?lè)設(shè)備(彈球盤(pán)和老虎機(jī))、家用電器(空調(diào)和冰箱)以及工業(yè)設(shè)備(自動(dòng)售貨機(jī)、ATM等銀行終端、辦公室自動(dòng)化設(shè)備和工廠自動(dòng)化設(shè)備)等應(yīng)用每年都不斷增加功能，導(dǎo)致IC的安裝面積不足。　　TBD62089APG采用DIP20封
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納米線晶體管能自我修復(fù) 有助研制單芯片飛船

　　據(jù)美國(guó)電氣與電子工程師協(xié)會(huì)《光譜》雜志網(wǎng)站11日?qǐng)?bào)道，美國(guó)國(guó)家航空航天局(NASA)與韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院(KAIST)合作，研制出了一款能自我修復(fù)的晶體管。研究人員表示，最新自我修復(fù)技術(shù)有助于研制單芯片飛船，其能以五分之一光速飛行，在20年內(nèi)抵達(dá)距太陽(yáng)系最近的恒星“比鄰星”。　　今年4月12日，霍金宣布啟動(dòng)“突破攝星”計(jì)劃，同俄羅斯商人尤里·米爾納、臉譜創(chuàng)始人馬克·扎克伯格合作建造能以五分之一光速(每秒6萬(wàn)千米)飛行的微型
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晶體管介紹

【簡(jiǎn)介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]