科學(xué)家開創(chuàng)了在電子產(chǎn)品上生長(zhǎng)超薄半導(dǎo)體的無轉(zhuǎn)移方法

• 萊斯大學(xué)的一個(gè)材料科學(xué)家團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種將超薄半導(dǎo)體直接生長(zhǎng)到電子元件上的新方法。發(fā)表在《ACS Applied Electronic Materials》上的一項(xiàng)研究中描述了該方法，可以幫助簡(jiǎn)化二維材料與下一代電子、神經(jīng)形態(tài)計(jì)算和其他需要超薄高速半導(dǎo)體的技術(shù)的集成。研究人員使用化學(xué)氣相沉積 （CVD） 將二硒化鎢（一種二維半導(dǎo)體）直接生長(zhǎng)到圖案化金電極上。接下來，他們通過構(gòu)建一個(gè)功能性、概念驗(yàn)證的晶體管來演示這種方法。與需要將易碎的 2D 薄膜從一個(gè)表面轉(zhuǎn)移到另一個(gè)表面的傳統(tǒng)技術(shù)不同，Rice 團(tuán)隊(duì)的方法
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