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新內(nèi)存芯片材料實現(xiàn)速度高于閃存千倍

  • 　　北京時間12月12日消息，據(jù)國外媒體報道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇夢達(Qimonda)等企業(yè)組成的研發(fā)團隊近日表示，已開發(fā)出能制造高速“相變(phase-change)”內(nèi)存的材料；與當前常用的閃存相比，相變內(nèi)存運行速度高于前者500~1000倍，能耗也將大幅度降低。  　　據(jù)悉該新型材料為復合半導體合金。IBM納米科學部門資深經(jīng)理斯派克
  • 關鍵字： 閃存  通訊  網(wǎng)絡  無線  消費電子  芯片材料  新內(nèi)存  存儲器  消費電子  
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新內(nèi)存介紹

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