安全散列算法(sha-1)器件文章進(jìn)入安全散列算法(sha-1)器件技術(shù)社區(qū)

IGBT核心技術(shù)及人才缺失工藝技術(shù)缺乏

　　新型電力半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國(guó)還屬空白。無(wú)論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國(guó)都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應(yīng)該對(duì)IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。　　眾所周知，電力電子技術(shù)可以提高用電效率，改善用電質(zhì)量，是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關(guān)元器件，它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件，
關(guān)鍵字：器件 IGBT 封裝測(cè)試 MOSFET

LCD顯示屏的器件選擇和驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

如何實(shí)現(xiàn)LCD平板顯示屏驅(qū)動(dòng)電路的高性能設(shè)計(jì)是當(dāng)前手持設(shè)備設(shè)計(jì)工程師面臨的重要挑戰(zhàn)。本文分析了LCD顯示面板的分類和性能特點(diǎn),介紹了LCD顯示屏設(shè)計(jì)中關(guān)鍵器件LDO和白光LED的選擇要點(diǎn),以及電荷泵LED驅(qū)動(dòng)電路的
關(guān)鍵字：驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì) 選擇器件顯示屏 LCD LCD

雙向過壓過流保護(hù)器件NCP370 的原理及應(yīng)用

0 引言
NCP370是安森美半導(dǎo)體(0N Semiconductor)公司生產(chǎn)的具有過壓、過流保護(hù)及反向控制功能的集成雙向保護(hù)器件。該器件可以提供高達(dá)+28V的正向保護(hù)和低至-28 V的負(fù)向保護(hù)功能，從而提高對(duì)便攜設(shè)備前端的保護(hù)
關(guān)鍵字：原理應(yīng)用 NCP370 器件保護(hù) 雙向

VDMOS器件損傷的DC／DC轉(zhuǎn)換器輻射預(yù)兆單元設(shè)計(jì)

航天用DC／DC轉(zhuǎn)換器工作在太空輻射環(huán)境下，輻射損傷是其主要失效機(jī)理。DC／DC轉(zhuǎn)換器的可靠性關(guān)系到整個(gè)航天器的可靠性，國(guó)內(nèi)外廣泛研究了DC／DC轉(zhuǎn)換器輻射損傷失效機(jī)理、失效模式和抗輻射篩選與加固措施。隨著
關(guān)鍵字： DC 預(yù)兆單元設(shè)計(jì) 輻射轉(zhuǎn)換器器件損傷 VDMOS DC／DC轉(zhuǎn)換器

TKScope支持JTAG菊花鏈連接的多器件仿真

TKScope支持JTAG菊花鏈連接的多器件仿真,多個(gè)ARM器件的調(diào)試需要將硬件連接成菊花鏈的形式。這樣，只需要一個(gè)JTAG接口就能夠?qū)栈ㄦ溕系娜我釧RM器件進(jìn)行仿真調(diào)試。而TKScope正支持這種菊花鏈連接的多器件仿真模式。
關(guān)鍵字：器件仿真連接菊花支持 JTAG TKScope

功率器件在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用

我國(guó)20世紀(jì)80年代以前的靜止變頻技術(shù)由于受到電力電子器件技術(shù)的影響，一直處于停滯不前的狀態(tài)，各個(gè)行業(yè)感應(yīng)加熱用中頻電源基本上使用中頻變頻電機(jī)供電。隨著20世紀(jì)90年代初電力電子器件的發(fā)展，目前國(guó)內(nèi)中頻電
關(guān)鍵字：技術(shù) 應(yīng)用變頻靜止器件功率電源

PSD813器件在單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用

摘要：可編程外圍器件PSD813應(yīng)用于單片機(jī)系統(tǒng)后，可大幅度地簡(jiǎn)化CPU外圍電路的設(shè)計(jì)，減小系統(tǒng)體積，降低功耗，增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。介紹了PSD813系列產(chǎn)品的特點(diǎn)，并結(jié)合實(shí)例介紹了系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)以及使用流程。
　　
關(guān)鍵字：應(yīng)用系統(tǒng) 單片機(jī) 器件 PSD813 可編程外圍芯片(PSD) 在線編程(ISP) PSDSOFT開發(fā)軟件

鍵盤顯示專用器件HD7279A的接口設(shè)計(jì)

介紹鍵盤顯示專用器件HD7279A的性能和使用，該器件是常用鍵盤顯示專用器件INTEL8279的升級(jí)換代產(chǎn)品，與ZLG7289或ZLG7290具有類似的功能，但外圍電路更簡(jiǎn)單。HD7279A具有串行接口簡(jiǎn)單，占用單片機(jī)資源少，可同時(shí)驅(qū)動(dòng)8位共陰式數(shù)碼管．連接64鍵鍵盤等特點(diǎn)。給出與單片機(jī)的具體連接電路，控制4位共陰極7段LED的顯示，可管理16鍵鍵盤和軟件流程。
關(guān)鍵字：接口設(shè)計(jì) HD7279A 器件顯示專用鍵盤

實(shí)時(shí)時(shí)鐘器件M41T94在配網(wǎng)監(jiān)測(cè)終端中的應(yīng)用

摘要：介紹具有SPI接口的多功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘器件M41T94，它具有精度高、功耗低等特點(diǎn)。提出一種M41T94在配網(wǎng)監(jiān)測(cè)終端中的應(yīng)用設(shè)計(jì)。結(jié)合單片機(jī)C8051F340的控制，給出配網(wǎng)監(jiān)測(cè)終端實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊的軟硬件設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵詞：實(shí)
關(guān)鍵字：監(jiān)測(cè) 終端應(yīng)用配網(wǎng) M41T94 時(shí)鐘器件實(shí)時(shí)

太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)對(duì)半導(dǎo)體器件的需求分析

　　太陽(yáng)能逆變器是整個(gè)太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。它把光伏單元可變的直流電壓輸出轉(zhuǎn)換為清潔的50Hz或60Hz的正弦電壓源，從而為商用電網(wǎng)或本地電網(wǎng)供電。因?yàn)樘?yáng)電池板的光電轉(zhuǎn)換效率可能受到陽(yáng)光照射的角度、云層
關(guān)鍵字：需求分析器件半導(dǎo)體發(fā)電系統(tǒng) 太陽(yáng)能

Atmel推出SHA-256密碼認(rèn)證IC系列保護(hù)數(shù)據(jù)安全

愛特梅爾公司(Atmel?Corporation)宣布推出AT88SA系列最低成本、超低功耗的安全密碼認(rèn)證IC，該系列中的首...
關(guān)鍵字： Atmel AT88SA系列 SHA-256密碼認(rèn)證

電子制造業(yè)到底爭(zhēng)什么？一場(chǎng)技術(shù)的較量

　　據(jù)相關(guān)報(bào)道，電子制造業(yè)3月份開始出現(xiàn)積極現(xiàn)象，但形勢(shì)依然嚴(yán)峻。工信部統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，一季度，電子產(chǎn)品出口交貨值同比下降15.5%，其中3月份下降10.1%，降幅比前兩個(gè)月減緩8.9個(gè)百分點(diǎn)。電子制造業(yè)生產(chǎn)、出口大幅下滑趨勢(shì)有所減緩。　　統(tǒng)計(jì)還顯示，行業(yè)經(jīng)濟(jì)效益下滑的趨勢(shì)并未扭轉(zhuǎn)。1-2月，電子行業(yè)實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)6.8億元，同比下降96.3%。　　由以上信息可以看出，電子制造業(yè)目前困境仍在，而且要改變現(xiàn)有狀態(tài)，電子業(yè)該從哪方面下手? 　　電子制造業(yè)困境　　由于全球經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)速度放緩，市場(chǎng)總體需求萎縮
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基于電荷耦合器件的雷達(dá)視頻積累電路

摘要：電荷耦合器件是一種發(fā)展前景良好的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)集成電路。該電路廣泛應(yīng)用于彩色成像、信號(hào)處理等相關(guān)領(lǐng)域。文介紹一種用CCD32l型電荷藕合器件設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)的脈沖雷達(dá)視頻積累電路，目的在于探討使用該器
關(guān)鍵字：電荷耦合器件雷達(dá)視頻積累

新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下，通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
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DC／DC輻照損傷與VDMOS器件1／f噪聲相關(guān)性研究

通過對(duì)DC／DC轉(zhuǎn)換器低頻噪聲測(cè)試技術(shù)以及在y輻照前后電性能與1/f噪聲特性變化的對(duì)比分析，發(fā)現(xiàn)使用低頻噪聲表征DC／DC轉(zhuǎn)換器的可靠性是對(duì)傳統(tǒng)電參數(shù)表征方法的一種有效補(bǔ)充。對(duì)DC／DC轉(zhuǎn)換器輻照損傷與其內(nèi)部VDMOS器件1/f噪聲相關(guān)性進(jìn)行了研究，討論了引起DC／DC轉(zhuǎn)換器輻照失效的原因。
關(guān)鍵字： DC 相關(guān)性研究噪聲 VDMOS 輻照損傷器件轉(zhuǎn)換器