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存儲器 文章 最新資訊

韓國開發(fā)變阻存儲器元件原創(chuàng)技術(shù)

  •     韓國產(chǎn)業(yè)資源部近日宣布,韓國光州科學技術(shù)院教授黃賢尚領(lǐng)導的科研小組成功開發(fā)出了變阻存儲器(ReRAM-Resistance Random?。粒悖悖澹螅蟆。停澹恚铮颍┰暮诵脑瓌?chuàng)技術(shù),這一技術(shù)足以克服新一代存儲器閃存芯片的缺陷。   據(jù)介紹,迄今為止,閃存芯片存在的最大缺陷是信息存儲和刷新的時間長,存儲容量難以達到32千兆位(Gb)以上。    專家介紹說,黃賢尚科研小組開發(fā)出的“單結(jié)晶鍶鈦氧化物(SrTi03)”和使這種氧化物保持原有特性的表面
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英特爾意法公布存儲器子系統(tǒng)規(guī)范

  • 意法半導體與英特爾公司近日公布了一個公用存儲器子系統(tǒng)規(guī)范,以幫助手機OEM制造商降低產(chǎn)品開發(fā)成本,以最快的時間將功能豐富的產(chǎn)品投放市場。為了簡化手機存儲器的設(shè)計,兩家公司將提供基于公用標準的軟硬件兼容的存儲器產(chǎn)品。因此,手機制造商的開發(fā)時間將會縮短,制造成本應(yīng)將會降低,并能夠以低廉的成本快速過渡到兩家公司開發(fā)的下一代NOR閃存產(chǎn)品。 NOR閃存是大眾主流手機市場首選的存儲器技術(shù)。據(jù)市場調(diào)研公司iSuppli資料顯示,NOR閃存出貨占手機嵌入式閃存出貨的92.8%。今天,英特爾和ST提供的NOR閃
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英飛凌日立推出高性能硬盤驅(qū)動器

  • 英飛凌科技股份公司近日宣布推出一款先進的硬盤驅(qū)動器讀取信道內(nèi)核,這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和日立環(huán)球存儲技術(shù)有限公司共同開發(fā),是適用于下一代硬盤驅(qū)動器的高集成控制器芯片開發(fā)過程中的一個里程碑。 “第一種采用90納米工藝技術(shù)的讀取信道內(nèi)核產(chǎn)品的開發(fā),使英飛凌可以更好地推出下一代集成電路產(chǎn)品,以滿足硬盤驅(qū)動器市場不斷增長的需求,”英飛凌管理董事會成員兼汽車與工業(yè)電子事業(yè)部負責人Peter Bauer指出,“我們對市場的承諾和立足點基于廣泛的專利組合(IP 
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英飛凌日立開發(fā)90納米硬盤驅(qū)動器

  •     英飛凌科技股份公司宣布推出一款先進的硬盤驅(qū)動器讀取信道內(nèi)核,這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和日立環(huán)球存儲技術(shù)有限公司共同開發(fā),是適用于下一代硬盤驅(qū)動器的高集成控制器芯片開發(fā)過程中的一個里程碑。      英飛凌副總裁兼專用集成電路和設(shè)計解決方案事業(yè)部(ADS)總經(jīng)理Sandro Cerato說:“采用90納米工藝制造讀取信道內(nèi)核,使硬盤驅(qū)動器行業(yè)能夠滿足下一代產(chǎn)品要求
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英飛凌內(nèi)存業(yè)務(wù)IPO非板上釘釘

  •     德國芯片廠商英飛凌總裁和首席執(zhí)行官日前在接受德國媒體采訪時表示,英飛凌內(nèi)存業(yè)務(wù)分拆上市還不是板上釘釘?shù)氖虑?。由于還有一些問題,公司并未作出正式?jīng)Q定。此外,英飛凌也還有別的選擇。    英飛凌首席執(zhí)行官Wolfgang Ziebart日前在接受德國報紙《Suddeutschen Zeitung》時表示,到目前為止,雖然還沒有決定,但將內(nèi)存業(yè)務(wù)IPO似乎是最有吸引力的方案。    Ziebart說,在內(nèi)存業(yè)務(wù)上和其他公司合作還是有可
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瑞薩開始接受DDR SDRAM產(chǎn)品訂貨

  • 高速存儲器有助于實現(xiàn)小型、高速和高性能的產(chǎn)品開發(fā)解決方案  瑞薩科技公司近日開始接受封裝在SiP(系統(tǒng)級封裝)內(nèi)、集成了DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM)高速存儲器芯片的產(chǎn)品訂貨。該產(chǎn)品是在一個單封裝中整合了瑞薩科技的高性能微處理器和邏輯LSI芯片的多存儲器器件。 <產(chǎn)品背景> 隨著包括圖形設(shè)備、車載信息系統(tǒng)和數(shù)字消費產(chǎn)品等各個領(lǐng)域的快速發(fā)展和功能日益強大,減小芯片尺寸成為了一個迫切的要求。對這種需求的一種反應(yīng)就是迅速增加SiP產(chǎn)品的應(yīng)用,因為它可以將若干微處理器
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英飛凌DRAM分拆上市專注邏輯業(yè)務(wù)

  •     英飛凌證實,它將在2006年7月以前把存儲業(yè)務(wù)分拆出來(spin out),然后把這項業(yè)務(wù)上市(IPO)。該公司將把重點放在邏輯部門,繼續(xù)面向汽車、工業(yè)電子和通訊領(lǐng)域。英飛凌把這些舉措稱為“戰(zhàn)略調(diào)整(strategic realignment)”,稱計劃把這兩個部門拆開,是因為它們“發(fā)展方向不同”。      “采取這項措施有兩個主要原因。一是內(nèi)存和邏輯產(chǎn)品的工藝與商業(yè)模式沿著不同的方向發(fā)展。二是我們可以改善這兩個部門的增長情況
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三星簽約高通供應(yīng)非存儲類芯片

  •     三星電子公司近日宣布,根據(jù)雙方達成的一項合作協(xié)議,該公司將向美國無線技術(shù)開發(fā)兼手機制造商高通公司提供定制的非存儲芯片。    三星公司是應(yīng)用于個人電腦的DRAM(動態(tài)隨機存取記憶體)芯片及應(yīng)用于數(shù)碼相機和音樂播放器的NAND閃存的領(lǐng)先生產(chǎn)廠商。該公司希望擴大在非存儲芯片市場上所占的份額。    位于美國圣地亞哥的高通公司是CDMA(碼分多址)技術(shù)的無線技術(shù)的先驅(qū),它希望擴大它的芯片供應(yīng)來源。    “我們和三星簽署的代工協(xié)議將為
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英飛凌成立子公司獨立內(nèi)存部門

  •     德國Infineon Technologies AG當?shù)貢r間17日,召開了公司的董事會,會后公司承認了事業(yè)的重組計劃。    根據(jù)新的重組計劃,公司決定將邏輯核心制造部門與內(nèi)存芯片制造部門分開。按照要求記憶體制造部門將在2006年7月1日前作為一個獨立的法人個體與公司分開,成立為單獨的子公司。    公司表示,分離的理由是因為兩部門在商業(yè)處理和收益構(gòu)造方面有著不同的方向,分離后不論是增長力還是公司收益都會提高。目前有關(guān)
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能平衡串聯(lián)電容電荷的存儲器終結(jié)IC

LSI推出Engenio存儲解決方案

  • Engenio 6498控制器與Engenio 6498存儲系統(tǒng) 以Engenio InfiniBand存儲系統(tǒng)領(lǐng)先存儲領(lǐng)域 ?新的本地InfiniBand存儲解決方案為高性能運算環(huán)境帶來益處 LSI邏輯近日宣布推出Engenio存儲解決方案家族的最新成員:Engenio 6498控制器與Engenio 6498存儲系統(tǒng)。這些解決方案集成了本地InfiniBand和第六代Engenio XBB ?架構(gòu),高性能的光纖通道或者大容量SATA
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NEC與美商聯(lián)手進入硬盤芯片市場

  •     NEC 電子與Link A Media Devices公司建立伙伴關(guān)系,為下一代垂直記錄硬盤開發(fā)系統(tǒng)芯片(SoC)。第一款產(chǎn)品將于明年夏天上市。NEC表示,已向美國加州Link A Media投資800萬美元,成為持股16.7%的股東。這將使NEC重新進入硬盤芯片市場。    雙方表示,他們將把Link A Media公司的讀取信道(read channel)、錯誤校驗
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杰爾系統(tǒng)在華設(shè)立存儲研發(fā)中心

  • 全力推進硬盤驅(qū)動半導體設(shè)計 杰爾系統(tǒng)(紐約股市:AGR)近日宣布在中國上海正式成立存儲研發(fā)設(shè)計中心。該中心的成立旨在加強杰爾系統(tǒng)在亞洲的半導體研發(fā)和設(shè)計能力,同時也為拓展和加強與本地客戶的合作關(guān)系提供支持。 Harley Burger先生將出任上海存儲研發(fā)設(shè)計中心的總監(jiān)職務(wù),整個研發(fā)團隊將在Harley Burger先生的帶領(lǐng)下致力于硬盤驅(qū)動器芯片和固件的研發(fā)工作。目前,硬盤驅(qū)動產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于臺式電腦、筆記本電腦、消費電子產(chǎn)品以及企業(yè)網(wǎng)絡(luò)。 杰爾系統(tǒng)大中國區(qū)副總裁John 
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端接DDR DRAM的電源電路

  •     DDR(雙數(shù)據(jù)速率)DRAM應(yīng)用于工作站和服務(wù)器的高速存儲系統(tǒng)中。存儲器IC采用1.8V或2.5V電源電壓,并需要等于電源電壓一半的基準電壓(VREF=VDD/2)。此外,各邏輯輸出端都接一只電阻器,等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時,必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲器系統(tǒng)提供終端電壓,并可輸出高達6A的電流。IC1有一個降壓控制器和2個線性穩(wěn)壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5~28V下工作。
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緊湊型ASSP成就硬盤MP3播放機的電源設(shè)計

  • MP3 播放機的產(chǎn)量已接近3,000 萬部,其中50%是硬盤(HDD)MP3 播放機。MP3 播放機的電源供應(yīng)通常來自于AC 適配器、USB 線纜或鋰離子電池。然而,管理這些不同電源之間的電源通路控制是一個關(guān)鍵的技術(shù)難題。 硬盤MP3 播放機市場快速成長的主要動力,來自于蘋果iPod 與iPod 迷你型硬盤MP3 的巨大成功,這兩款產(chǎn)品在4~40GB 的存儲范圍內(nèi)均具有多種硬盤選擇。這些MP3 用微型硬盤的盤片直徑大多不足2 英寸。例如,東芝的硬盤在直徑僅為1.8 英寸的單一盤片上具有30GB 的容量;
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存儲器介紹

什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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