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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 場效應管

e絡盟擴充東芝場效應管產(chǎn)品系列,滿足全球市場日益增長的需求

  • 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡盟宣布新增250多種東芝（Toshiba）產(chǎn)品，包括一系列新型N通道功率場效應管（MOSFET）。新增系列將涵蓋600V-650V的高壓和30V-150V的低壓產(chǎn)品。Farnell及e絡盟高級供應商客戶經(jīng)理Ibtissame Krumm表示：“全球功率半導體市場正在迅速擴張。盡管這段時間以來，汽車應用對功率半導體的需求一直是人們的熱點話題。但它掩蓋了一個事實，那就是許多其他應用的需求增長速度也非常迅猛，至少與汽車應用的需求增長速度相當。”他補充道：“功率場效
  • 關鍵字： e絡盟  東芝  場效應管  

東芝第三代 SiC MOS 性能提升 80%，將在 8 月下旬量產(chǎn)

  • 據(jù)東芝近日官網(wǎng)宣布，他們的第三代 SiC MOSFET（碳化硅場效應管）計劃在今年 8 月下旬開始量產(chǎn)。據(jù)了解，該新產(chǎn)品使用全新的器件結構，具有低導通電阻，且開關損耗與第二代產(chǎn)品相比降低了約 20%。2020 年 8 月，東芝利用這項新技術量產(chǎn)了第二代 SiC MOSFET ——1.2kV SiC MOSFET。這是一種將 SBD 嵌入 MOSFET 的結構，將其與 PN 二極管 并聯(lián)放置 ，能將可靠性提升 10 倍 。雖然上述器件結構可以顯著提升可靠性，可它卻有著無法規(guī)避的缺點 —— 特定導通電阻和性能
  • 關鍵字： 東芝  半導體  場效應管  

UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數(shù)的1200V第四代SiC FET

  • 2022年5月11日移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）系列。
  • 關鍵字： UnitedSiC  Qorvo  SiC  碳化硅  場效應管  

場效應管常用的三大作用：放大作用、恒流輸出、開關導通

  • 1、放大電路場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點，因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場效應管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應用很廣泛，如下圖是主要是由場效應管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調(diào)標尺工序。由于場
  • 關鍵字： MOSFET  MOS  場效應管  

怎么選擇三極管和場效應管，看這篇就夠了

  • 隨著電子設備升級換代的速度，大家對于電子設備性能的標準也愈來愈高，在某些電子設備的電路設計與研發(fā)中，不僅是開關電源電路中，也有在攜帶式電子設備的電路中都是會運用到性能更好的電子元器件——場效應晶體管，因此正確挑選場效應晶體管是硬件工程師常常碰到的難點之一，也是極其重要的1個環(huán)節(jié)，場效應晶體管的挑選，有可能直接影響到一整塊集成運放的速率和制造費，挑選場效應晶體管，可以從下列六大技巧下手。
  • 關鍵字： 三極管  場效應管  

IGBT場效應管的工作原理及檢測方法

  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點，具備易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高 (10-40 kHz) 等特點，已逐步取代晶閘管和GTO（門極可關斷晶閘管），是目前發(fā)展最為迅速的新一代電
  • 關鍵字： IGBT  場效應管  

逆變電源設計基本常識

  • 電源，用通常理解的話說：是一種可以為我們電子電 器提供合適電壓，電流，波形與頻率的轉換裝置!比如：直流電源，可以理解為頻率為零，波形為直線的
  • 關鍵字： 逆變電源  開關電源  場效應管  

分享：IGBT的檢測方法

  • IGBT有三個電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)一、用指針式萬用表對場效應管進行判別(1)用測電阻法判別結
  • 關鍵字： IGBT  場效應管  檢測方法  

三極管開關電路和場效應管電路優(yōu)劣比較

  • 一般我們在做電路設計時候，三極管開關電路和MOS管開關電路有著以下四種區(qū)別：首先是三極管是用電流控制，MOS管屬于電壓控制;然后就是成本問題，三極
  • 關鍵字： 三極管  場效應管  

【E課堂】模擬電子技術重難點盤點

  • 　　在緒論課中，除了簡要介紹電子技術的發(fā)展及其應用概況，本課程的性質(zhì)、任務和要求以及基本內(nèi)容外，還應著重介紹本課程的學習方法。根據(jù)以往的經(jīng)驗，?筆者從學習“電路”課程過渡到學習“電子技術基礎”課程時，總感到電子電路的分析與計算，不如“電路”課程中那樣嚴格，那樣有規(guī)律可循，時而忽略這個元?件，時而忽略了那個參數(shù)，不好掌握。　　因而必須指明本課程是一門技術基礎課，著重“技術”二字。在定性分析，搞清概念的基礎上，進行定量估算。由于半導體器件參數(shù)的分散性，存在?較大的偏差，電阻、電容
  • 關鍵字： 場效應管  運算放大器  

【E課堂】模擬電子技術的重點及難點簡析

  • 　　模擬電子技術是電氣工程及其自動化等專業(yè)的學生必須掌握的一門技術，此課程在專業(yè)培養(yǎng)計劃中具有舉足輕重的的地位，少年子弟江湖老，如今，走上工作崗位的我們在工作中也許會接觸到這些知識，下面就模擬電子技術中的重難點做一些說明。　　一、放大電路基礎　　作為本課程的基礎，由于課程剛入門，概念較多，又要初步培養(yǎng)分析、計算能力，因此，必須放慢進度，保證足夠的學時?！　￡P于半導體的物理基礎部分，因“物理”和“化學”兩課中一般都已講過，本課程不必重復，可從晶體的共價鍵結構講起。PN結是重點內(nèi)容，要求用物理概念講清PN結的
  • 關鍵字： 場效應管  功率放大器  

系統(tǒng)詳解開關電源的基本工作原理

  • 幾種基本類型的開關電源　 顧名思義，開關電源就是利用電子開關器件（如晶體管、場效應管、可控硅閘流管等），通過控制電路，使電子開關器件不停地“接通”和“關斷”，讓電子開關器件對輸入電壓進行脈沖調(diào)制，
  • 關鍵字： 晶體管  開關電源  場效應管  

常用大功率高耐壓場效應管參數(shù)114種

  • 常用大功率高耐壓場效應管參數(shù)114種
  • 關鍵字： 場效應管  

圖解絕緣柵型場效應管

  • 　　本文圖文結合的解析了絕緣柵型場效應管的工作原理，希望對你的學習有所幫助。　　增強型：VGS=0時，漏源之間沒有導電溝道，在VDS作用下無iD?！　『谋M型：VGS=0時，漏源之間有導電溝道，在VDS作用下iD?！　?、結構和符號(以N溝道增強型為例)　　在一塊濃度較低的P型硅上擴散兩個濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極。　　其他MOS管符號　　2、工作原理(以N溝道增強型為例)　　(1) VGS=0時，不管VDS極性如何，其中總有一個PN結反偏，
  • 關鍵字： 場效應管  

【E課堂】絕緣柵型場效應管之圖解

  • 　　增強型：VGS=0時，漏源之間沒有導電溝道，在VDS作用下無iD。耗盡型：VGS=0時，漏源之間有導電溝道，在VDS作用下iD?！　?. 結構和符號(以N溝道增強型為例)　　在一塊濃度較低的P型硅上擴散兩個濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極?！　?nbsp;   　　其他MOS管符號　　    　　2. 工作原理(以N溝道增強型為例)　　    　　
  • 關鍵字： 場效應管  
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場效應管介紹

目錄 場效應管 1.概念: 2.場效應管的分類: 3.場效應管的主要參數(shù) : 4.結型場效應管的管腳識別: 5.場效應管與晶體三極管的比較 場效應管 　　根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。 1.概念: 　　場效應晶體管（Field Effec [ 查看詳細 ]

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