器件文章進(jìn)入器件技術(shù)社區(qū)

Allegro推出兩款新型通用鎖存

　　Allegro? 已發(fā)布兩款新型的霍爾效應(yīng)鎖存，其具有溫度穩(wěn)定和抗應(yīng)力的特點(diǎn)，特別適用于消費(fèi)和工業(yè)產(chǎn)品。Allegro 動(dòng)態(tài)偏移取消實(shí)現(xiàn)了較好的高溫性能，可降低通常由器件封裝超模壓、溫度依存性及熱應(yīng)力引起的剩余偏移電壓。這兩種器件面向非汽車應(yīng)用，除磁開關(guān)點(diǎn)以外，其它都是一樣的。　　兩種器件都將以下元件包含在單硅片上：穩(wěn)壓器、霍爾電壓傳感器、小型信號(hào)放大器、穩(wěn)定斬波特性、施密特觸發(fā)器和具有短路保護(hù)功能、最大可汲入 25? mA 電流的開路集電極輸出。若要開啟輸出，必須提供強(qiáng)度足夠大
關(guān)鍵字： Allegro 霍爾效應(yīng) 器件鎖存

IDT 推出為消費(fèi)類應(yīng)用設(shè)計(jì)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘系列器件

　　IDT推出專門為消費(fèi)類應(yīng)用設(shè)計(jì)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘系列器件，應(yīng)用包括機(jī)頂盒、GPS 設(shè)備、電表和 MP3 播放器等。此外，這些器件還特別適用于計(jì)算、醫(yī)療和電信市場(chǎng)。 ? 　　IDT 實(shí)時(shí)時(shí)鐘是低功耗的時(shí)鐘/日期器件，具有兩種可編程 time-of-day 鬧鐘和一個(gè)可編程方波輸出，適用于需要日歷和時(shí)間功能的應(yīng)用。地址和數(shù)據(jù)是通過一條 I2C 總線串行傳輸?shù)?。這些器件內(nèi)置了電源檢測(cè)電路，可以發(fā)現(xiàn)電源故障，并自動(dòng)切換到備用電源，以保持時(shí)間、日期和鬧鈴正常操作。該產(chǎn)品系列包括可以提供超過 56 個(gè)字節(jié)的
關(guān)鍵字： IDT 時(shí)鐘器件可編程

元器件行業(yè):行業(yè)整體增速放緩器件表現(xiàn)優(yōu)于元件

　　行業(yè)整體增速放緩，器件表現(xiàn)優(yōu)于元件——元器件行業(yè)07年報(bào)及08年1季報(bào)綜述　　受到美國(guó)次貸危機(jī)導(dǎo)致的國(guó)外需求減弱，以及人民幣對(duì)美元升值帶來的出口壓力，2007年中國(guó)電子元器件行業(yè)發(fā)展速度有所回落，但仍大大高于全球平均水平。　　我們認(rèn)為，08年中國(guó)電子元器件行業(yè)仍會(huì)保持較快的增長(zhǎng)速度，我們提示重點(diǎn)關(guān)注半導(dǎo)體板塊，其發(fā)展動(dòng)力主要源于以下幾點(diǎn)：　　一、下游需求拉動(dòng)。元器件的主要下游產(chǎn)品PC、消費(fèi)類電子、汽車電子等行業(yè)的增速仍將維持較高水平。　　二、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級(jí)。國(guó)內(nèi)元
關(guān)鍵字：元件器件半導(dǎo)體

通過用UART與若干器件進(jìn)行通訊的電路設(shè)計(jì)

在各種外圍的設(shè)備中，使用了通用的異步接收和發(fā)送(UART)接口。如果您的應(yīng)用需要所有的四UART通道變成異步通道...
關(guān)鍵字： UART 異步通訊引腳配置寄存器電路設(shè)計(jì) 器件外圍設(shè)備 MCU 模塊硬件

不同電源供電的器件間的橋接(07-100)

　　半導(dǎo)體行業(yè)從一開始就以“更小、更快、更便宜、更好”為宗旨。當(dāng)前的掌上電腦(Pocket PC)比占地整整一幢樓的第一臺(tái)電腦功能更強(qiáng)大。然而，到目前為止，實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法都是減小組成半導(dǎo)體器件的單個(gè)晶體管的體積。這也帶來了有趣的副作用。隨著晶體管變得越來越小，工作電壓也越來越低。在過去的嵌入式系統(tǒng)中應(yīng)用最普遍的就是5V電源。但典型嵌入式系統(tǒng)中的大多數(shù)元器件也轉(zhuǎn)而采用更低的電源電壓，以充分利用行業(yè)最新趨勢(shì)帶來的好處。另一方面，系統(tǒng)中的某些元器件需要更長(zhǎng)的時(shí)間才能完成轉(zhuǎn)變。因此，在
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構(gòu)建高精度脈沖器件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)

前言
雷達(dá)的微波射頻系統(tǒng)主要包括混頻器、濾波器、放大器、天線等部分。其中放大器、混頻器、T/R組件為脈沖器件測(cè)試的主要對(duì)象。這些關(guān)鍵部件會(huì)對(duì)雷達(dá)的脈沖調(diào)制信號(hào)造成影響，典型的信號(hào)惡化包含：信號(hào)過沖、定降、
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ESL綜合解決方案提高DSP的設(shè)計(jì)效率，推動(dòng)ASICS與FPGA器件發(fā)展(圖)

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四種射頻器件設(shè)計(jì)的TCAD仿真方法分析比較

計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)技術(shù)(TCAD)應(yīng)用到設(shè)計(jì)領(lǐng)域最通常的目的就是預(yù)測(cè)，仿真能使工程師了解設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵字：方法分析比較仿真 TCAD 器件設(shè)計(jì) 射頻

器件的散熱

1、散熱的原理與重要性　　各種功率器件的核心是PN結(jié)，而PN結(jié)的性能與溫度密切相關(guān)。為了保證器件正常工作，必須規(guī)定最高允許結(jié)溫TjM。當(dāng)器件流過較大的電流時(shí)，在芯片上產(chǎn)生相應(yīng)的功率損耗，引起芯片溫度增加，與最高結(jié)溫對(duì)應(yīng)的器件耗散功率即為器件的最大允許耗散功率。器件正常工作時(shí)不應(yīng)超過最高結(jié)溫和功率的最大允許值，否則，器件特性將要發(fā)生變化，甚至導(dǎo)致器件產(chǎn)生永久性的損壞現(xiàn)象。　　芯片溫度的高低與器件內(nèi)部功耗的大小、芯片到外界環(huán)境的傳熱條件（傳熱機(jī)構(gòu)、材料、冷卻方式等）及環(huán)境溫度有關(guān)。設(shè)法減小器件的內(nèi)部
關(guān)鍵字：器件散熱元件制造

外圍設(shè)備或器件軟件仿真的方法及建議

外圍設(shè)備軟件仿真可以方便單片機(jī)程序的調(diào)試，在程序涉及外圍設(shè)備時(shí)不必做任何處理直接運(yùn)行，仿真軟件會(huì)自動(dòng)處理對(duì)它的訪問。
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電子知識(shí):半導(dǎo)體器件鑒定試驗(yàn)技術(shù)的研究

1 引言　　　　眾所周知，可靠性鑒定工作對(duì)保證半導(dǎo)體器件質(zhì)量和可靠性至關(guān)重要，無論是新品研制，還是成熟產(chǎn)品（老品）生產(chǎn)，無不以鑒定試驗(yàn)作為檢驗(yàn)其質(zhì)量和可靠性的重要手段。不考慮抗輻照性能的鑒定試驗(yàn)，半導(dǎo)體器件鑒定工作共有各類試驗(yàn)20余組，需要樣品100余個(gè)?？疾閮?nèi)容包括壽命、耐各種惡劣環(huán)境能力等反映半導(dǎo)體器件質(zhì)量和可靠性的所有指標(biāo)。　　鑒定試驗(yàn)不僅對(duì)半導(dǎo)體器件質(zhì)量，對(duì)半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方提出了高要求，也對(duì)試驗(yàn)方，即鑒定方同樣提出了高要求。半導(dǎo)體領(lǐng)域長(zhǎng)期對(duì)前者十分重視，投入了大量人力、物力進(jìn)行研究，然而
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體電子器件半導(dǎo)體材料

基于rfPIC無線發(fā)射器件的環(huán)形天線的設(shè)計(jì)

本文基于MICROCHIP公司生產(chǎn)的rfPIC12F675芯片，提出了一種微小型天線的設(shè)計(jì)方法及其調(diào)試技術(shù)。通過設(shè)計(jì)rfPIC12F675的天線原理圖和PCB板圖，闡述了PCB板上環(huán)形天線的設(shè)計(jì)方法、參數(shù)確定途徑、調(diào)試方法和設(shè)計(jì)PCB板時(shí)應(yīng)該注意的問題。
關(guān)鍵字：環(huán)形天線設(shè)計(jì) 器件發(fā)射 rfPIC 無線基于

功率驅(qū)動(dòng)器件與MCU/DSC的接口電路設(shè)計(jì)技巧

本文介紹了一些方法和技巧，可將MCU或DSC的邏輯層輸入/輸出口(I/O)與功率電子驅(qū)動(dòng)電路接口，并講述了如何正確地進(jìn)行相關(guān)硬件及軟件開發(fā)的方法。
關(guān)鍵字： MCU DSC 功率驅(qū)動(dòng) 器件

Ramtron推出汽車級(jí)16Kb SPI接口FRAM器件

Ramtron推出汽車級(jí)16Kb SPI 接口FRAM 器件FM25C160 滿足汽車電子AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證此款產(chǎn)品豐富了適用于嚴(yán)苛汽車環(huán)境的汽車級(jí)產(chǎn)品陣容 Ramtron International 公司宣布其16Kb、5V、SPI FRAM存儲(chǔ)器件FM25C160已經(jīng)獲得AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證 (汽車電子設(shè)備委員會(huì)針對(duì)集成電路而設(shè)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn))。FM25C160是第三款達(dá)到AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的FRAM器件，
關(guān)鍵字： 16Kb FM25C160 FRAM Ramtron SPI 接口汽車電子汽車級(jí) 器件存儲(chǔ)器汽車電子

飛兆推出用于鎮(zhèn)流器的DPAK SuperFET™

導(dǎo)通阻抗僅為傳統(tǒng) 平坦化Planar 型 MOSFET 的三分之一全新600V / 0.6 ~ 1.2 Ohm SuperFET系列器件采用DPAK封裝，能提高效率并減少占位空間，有助于實(shí)現(xiàn)纖小型照明設(shè)計(jì) 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 開發(fā)出新的低導(dǎo)通阻抗600V SuperFET™ MOSFET器件
關(guān)鍵字： DPAK SuperFET™ 單片機(jī) 電源技術(shù) 飛兆半導(dǎo)體模擬技術(shù) 器件嵌入式系統(tǒng) 鎮(zhèn)流器