在這個三部分系列博文中，我已經討論了生成兩個良好匹配、低漂移電壓基準的解決方案。我們在第一部分從三個拓撲結構開始，在第二部分比較和對比了性能方面的不同?，F在，我們來看一看這三個解決方案的其他設計注意事項：占用的空間和成本。
空間占用和成本
除了系統(tǒng)性能之外，在高密度應用中，PCB面積要求會十分關鍵。圖1中給出了每個解決方案的總PCB空間一覽(未考慮去耦合電容器)。
下方的表1顯示所需空間的簡單計算結果(只考慮器件本體尺寸)。通過從一個封裝尺寸為4.64 m
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單電壓基準 雙電壓基準
在我上一個帖子中，我們討論了生成兩個高精度電壓基準輸出的三種拓撲結構。今天，我們將從三個方面，即他們輸出之間的總體誤差、漂移跟蹤和匹配，來比較這三種解決方案的性能。
總體誤差
方程式 (1) 將用百分比 (%) 給出的技術規(guī)格轉換為百萬分比 (ppm) 表示的技術規(guī)格。
(方程式1)
每個電壓輸出的總體誤差性能指標取決于他的初始精度和工作溫度范圍內的漂移，如方程式(2) 中所給出的那樣。
(方程式2)
在解決方
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開發(fā)一個低漂移系統(tǒng)會很難，特別是在使用雙極輸入信號時更是如此。
諸如圖1中顯示的雙向電流感測的應用要求使用兩個良好匹配的低漂移基準電壓。第一個電壓，VREF定義ADC的滿量程范圍。需要一個偏置電壓，VBIAS，來電平位移雙極信號。需要使VBIAS= VREF/2，這樣的話，ADC的正負擺幅相等。我將在這個系列博文中分三次討論生成兩個基準電壓的三個拓撲結構。
圖1：低漂移雙向單電源低端電流感測系統(tǒng)
如圖2中顯示，使用兩個單獨的電壓基準來提供一個簡單且直接的方
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