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UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)芯片的功能與應(yīng)用

  • 1引言隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動(dòng)芯片層出不窮，為驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)提供了更多的選擇和設(shè)計(jì)思...
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MOSFET的諧極驅(qū)動(dòng)

深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表

  • 在汽車(chē)電子的驅(qū)動(dòng)負(fù)載的各種應(yīng)用中,最常見(jiàn)的半導(dǎo)體元件就是功率MOSFET了。本文不準(zhǔn)備寫(xiě)成一篇介紹功率MOSFE...
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功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗的研究

  • 本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知...
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Vishay Siliconix推出0.6mm超低外形MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用0.6mm超低外形的熱增強(qiáng)Thin PowerPAK? SC-70封裝的新款30V N溝道---SiA444DJT和20V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面積內(nèi)，新的SiA444DJT實(shí)現(xiàn)了N溝道MOSFET當(dāng)中業(yè)內(nèi)最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。　
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功率MOSFET供貨緊張

  • 　　據(jù)iSuppli公司，由于2010年銷(xiāo)售增長(zhǎng)50%以上，而且產(chǎn)量有限，英飛凌、意法半導(dǎo)體和飛兆半導(dǎo)體等主要供應(yīng)商的某些功率MOSFET對(duì)中國(guó)市場(chǎng)實(shí)行配給，而且交貨期拉長(zhǎng)。 　
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IR新型-30VP溝道功率MOSFET使設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單靈活

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開(kāi)關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無(wú)需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。 　　IR 亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘
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IR 新型-30V P 溝道功率MOSFET 使設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單靈活

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開(kāi)關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無(wú)需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。 　　IR 亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘
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IR 推出為開(kāi)關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的 AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 今天宣布針對(duì)開(kāi)關(guān)應(yīng)用，推出兩款具有低柵級(jí)電荷的車(chē)用 DirectFET?2 功率 MOSFET ，這些開(kāi)關(guān)應(yīng)用包括開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 、D 類(lèi)音頻系統(tǒng)、高強(qiáng)度氣體放電燈 (HID) 照明，以及其它汽車(chē)電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。 　　AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2 是 IR為 DC-DC 應(yīng)用量身定制的首款汽車(chē)級(jí) DirectFET? 器件，提供低
  • 關(guān)鍵字： IR  功率MOSFET  AUIRF7648M2  

為功率MOSFET增加自動(dòng)防故障擊穿保護(hù)

瑞薩發(fā)布雙類(lèi)型功率MOSFET DC/DC轉(zhuǎn)換器

  • 　　瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）近日宣布，推出適用于筆記本電腦及通信設(shè)備等產(chǎn)品的存儲(chǔ)器或ASIC同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器的RJK0383DPA。該器件集成雙類(lèi)型功率MOSFET，可以實(shí)現(xiàn)更高的電源效率。據(jù)悉，此器件樣品將于在2008年10月在日本開(kāi)始供應(yīng)。 　　RJK0383DPA集成了兩種不同類(lèi)型的雙功率MOSFET，構(gòu)成了一個(gè)采用WPAK『注1』（瑞薩封裝代碼）高熱輻射封裝的同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器，其面積為5.1×6.1 mm，厚度為0.8 mm（最大）
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  轉(zhuǎn)換器  功率MOSFET  DC/DC  

功率MOSFET的保護(hù)

TNY256型單片機(jī)開(kāi)關(guān)電源及其應(yīng)用

  • 　　摘要：?jiǎn)纹_(kāi)關(guān)電源具有性?xún)r(jià)比高、外圍電路簡(jiǎn)單、效率高、功耗低等顯著特點(diǎn)，文中介紹了TNY256的性能特點(diǎn)、工作原理，并給出了TNY256的典型應(yīng)用電路。     關(guān)鍵詞：?jiǎn)纹_(kāi)關(guān)電源 TNY256 自動(dòng)重啟計(jì)數(shù)器 功率MOSFET 1 TNY256的性能特點(diǎn) 　　
  • 關(guān)鍵字： 單片開(kāi)關(guān)電源  TNY256  自動(dòng)重啟計(jì)數(shù)器  功率MOSFET  MCU和嵌入式微處理器  
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功率mosfet介紹

　　“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫(xiě)，意即“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體S的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。除少數(shù)應(yīng)用于音頻功率放大器，工作于線(xiàn)性范圍，大多數(shù)用作開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)器，工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達(dá)幾安培到幾十安培。 [ 查看詳細(xì) ]

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