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東芝與天岳先進達成SiC功率半導體襯底合作協(xié)議
- 據“天岳先進”官方微信公眾號消息，8月22日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝電子元件”）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）就SiC功率半導體用襯底達成基本合作協(xié)議。雙方將在技術協(xié)作與商業(yè)合作兩方面展開深入合作，具體包括提升SiC功率半導體特性和品質，以及擴大高品質穩(wěn)定襯底供應。未來，雙方將圍繞合作細節(jié)展開進一步磋商。東芝電子元件憑借在鐵路用SiC功率半導體領域的開發(fā)與制造經驗，正加速推進服務器電源用和車載用SiC器件的研發(fā)。未來，東芝電子元件計劃進一步降低SiC功率半導
- 關鍵字： 東芝 天岳先進 SiC 功率半導體襯底
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