串-并聯(lián) 文章 進入串-并聯(lián)技術(shù)社區(qū)
功率器件的熱設計基礎(chǔ)(二)---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
- / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導體的熱設計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎(chǔ)系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎(chǔ)知識,相關(guān)標準和工程測量方法。第一講 《功率器件熱設計基礎(chǔ)(一)----功率半導體的熱阻》 ,已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來了,那自然會想到熱阻也可以通過串聯(lián)和并聯(lián)概念來做數(shù)值計算。熱阻的串聯(lián)首先,我們來看熱阻的串聯(lián)。當兩個或多個導熱層依次排列,熱量依次通過
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使用串聯(lián)和并聯(lián)RC和RL電路設計L形匹配網(wǎng)絡
- 通過RC和RL電路的品質(zhì)因子(Q因子)以及這些電路的串并聯(lián)轉(zhuǎn)換,了解L形阻抗匹配方程在本系列的前一篇文章中,我們學習了如何使用史密斯圓圖設計無源阻抗匹配網(wǎng)絡。除了使用這種圖形方法,還可以遵循分析方法并使用一些方程來獲得所需的匹配網(wǎng)絡。首先,在深入阻抗匹配方程之前,我們需要了解兩個基本概念:RC和RL電路的品質(zhì)因子以及這些電路的串并聯(lián)轉(zhuǎn)換。RC和RL電路的品質(zhì)因子定義用Q表示的術(shù)語品質(zhì)因子可以用多種方式定義。當談論儲能裝置(即電容器或電感器)時,Q表示我們的儲能裝置有多接近理想。例如,理想的電容器不會耗散任
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雙電流路徑結(jié)構(gòu)的大電流自控制熔斷器技術(shù)

- 現(xiàn)有電流規(guī)格的自控制熔斷器難以滿足大電流應用需求,通常采用多顆并聯(lián)形式。測試結(jié)果表明,兩顆30 A并聯(lián),適用于50 A應用需求;兩顆45 A并聯(lián),適用于60 A應用需求。多顆并聯(lián)將造成設計板面大,設計難度高,對元件性能一致性的擔憂。因此,通過研究并聯(lián)使用,推演出一種新型的大電流自控制熔斷器模型結(jié)構(gòu)—雙電流路徑結(jié)構(gòu)。雙電流路徑結(jié)構(gòu)的自控制熔斷器,其結(jié)構(gòu)可等效于上下鏡像層疊分布的常規(guī)自控制熔斷器,根據(jù)原理示意圖,具體實施中可有多種變形形式。
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光耦電路中的串聯(lián)與并聯(lián)電阻有什么作用

- 光耦在電路中的主要作用是對光電進行隔離。因此在一些較為敏感的電路中光耦是非常重要的一種器件。而在光耦電路中,電阻的作用分為串聯(lián)與并聯(lián)。圖1圖1是反激式電源電路圖,那么在R8、R9這兩個電阻的作用是什么?如果對R8和R9阻值調(diào)大或者調(diào)小分別對什么電性有影響?首先對這兩個電阻的作用進行講解,R8的作用是限流,而R9是為了給TL431提供基礎(chǔ)電流。光耦原邊流過多大的電流,不是由R8決定的,R8只是限制流過原邊的電流。如果電阻太小,很小的波動就會引起原邊相對較大的電流,所以電路有可能不容易穩(wěn)定。電路正常工作以后,
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串-并聯(lián)介紹
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