下一代半導體 文章 最新資訊
馬自達與羅姆開始聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導體的汽車零部件
- Mazda Motor Corporation（以下簡稱“馬自達”）與ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）開始聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導體技術(shù)——氮化鎵（GaN）功率半導體的汽車零部件。（左）馬自達董事、專務執(zhí)行官兼CTO 廣瀨一郎／（右）羅姆董事、專務執(zhí)行官 東克己馬自達與羅姆自2022年起，在“針對電驅(qū)動單元的開發(fā)與生產(chǎn)合作體系”中，一直在推進搭載碳化硅（SiC）功率半導體的逆變器的聯(lián)合開發(fā)。此次，雙方又著手開發(fā)采用GaN功率半導體的汽車零部件，旨在為下一代電動汽車打造創(chuàng)新型汽車零部件。GaN
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10家公司參與，下一代半導體先進封裝聯(lián)盟“US-JOINT”成立
- 近日，日本半導體材料廠商Resonac（昭和電工）宣布，將在美國硅谷成立下一代半導體封裝研發(fā)聯(lián)盟“US-JOINT”，其成員來自美國和日本共約10家半導體相關(guān)領域的材料、設備公司。據(jù)昭和電工介紹，此次參與成立新聯(lián)盟的廠商包括Azimuth、KLA、Kulicke & Soffa、Moses Lake Industries、MEC、ULVAC、NAMICS、TOK、TOWA、和Resonac。Resonac執(zhí)行官Hidenori Abe表示，未來參與聯(lián)盟的公司數(shù)量可能會增加，不僅僅是日本和美
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ADI投資6.3億歐建造下一代半導體研發(fā)與制造設施
- 全球領先的半導體公司Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布將在其位于愛爾蘭利默里克Raheen商業(yè)園的歐洲區(qū)域總部投資6.3億歐元，計劃新建一座占地4.5萬平方英尺的先進研發(fā)與制造設施。新設施將支持ADI開發(fā)下一代信號處理創(chuàng)新技術(shù)，旨在加速工業(yè)、汽車、醫(yī)療和其他行業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型。此舉預計將使ADI的歐洲晶圓產(chǎn)能達到現(xiàn)有的三倍，助力公司實現(xiàn)內(nèi)部制造能力翻一番的目標，以增強全球供應鏈的彈性，更好地滿足客戶需求。該投資預計將為ADI在愛爾蘭中西部地區(qū)帶來6
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下一代半導體介紹
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