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三星新本集成Intel 5核心:10nm+14nm肩并肩

- 三星在開發(fā)者大會上披露了多款未來新產(chǎn)品,Galaxy Book S筆記本無疑是非常特殊的一個,它將配備Intel Lakefiled 3D封裝處理器,并集成Intel 4G/LTE基帶,支持全天候連接。Lakefiled處理器早在今年初的ES 2019大展上就已宣布,首次采用全新的3D Foveros立體封裝,內(nèi)部集成10nm工藝的計算Die、14nm工藝的基礎(chǔ)Die兩個裸片。它同時提供一個高性能的Sunny Cove/Ice Lake CPU核心、四個高能效的Tremont CPU核心(均為10nm)和
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DDR5內(nèi)存2020年開始生產(chǎn) AMD Zen4/Intel最快2021年跟進(jìn)

- 最近一年來,DDR4內(nèi)存芯片持續(xù)降價,如今8GB DDR4單條內(nèi)存也不復(fù)三年前接近千元的售價之勇,只要200多塊就可以搞定。很多玩家對DDR4內(nèi)存也沒感覺了,期待早點用上DDR5內(nèi)存,不過DDR5內(nèi)存的進(jìn)展沒有想象的那么快,2020年各大存儲芯片廠商才會量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,兩三年后才能普及。主導(dǎo)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定的JEDEC規(guī)范組織雖然之前宣布2018年正式發(fā)布DDR5標(biāo)準(zhǔn),但實際上并沒有,最終規(guī)范要到2020年才能完成,其目標(biāo)是將內(nèi)存帶寬在DDR4基礎(chǔ)上翻倍,速率3200Mbps起,最高可達(dá)6400Mbps,電
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三星正式發(fā)布Exynos 990旗艦處理器
- 據(jù)sammobile報道,三星公司在加利福尼亞州圣何塞舉行的2019年“三星技術(shù)活動”上正式推出了Exynos 990旗艦處理器。三星表示Exynos 990處理器和Exynos Modem 5123芯片將于今年年底進(jìn)入批量生產(chǎn)。
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三星的6nm、5nm、4nm工藝都是7nm改良:3nm棄用FinFET

- 7nm工藝的產(chǎn)品已經(jīng)遍地開花,Intel的10nm處理器也終于在市場登陸,不過,對于晶圓巨頭們來說,制程之戰(zhàn)卻越發(fā)膠著。在日前一場技術(shù)交流活動中,三星重新修訂了未來節(jié)點工藝的細(xì)節(jié)。三星稱,EUV后,他們將在3nm節(jié)點首發(fā)GAA MCFET(多橋通道FET)工藝。由于FinFET的限制,預(yù)計在5nm節(jié)點之后會被取代。實際上,5nm在三星手中,也僅僅是7nm LPP的改良,可視為導(dǎo)入第二代EUV的一代。7nm LPP向后有三個迭代版本,分別是6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE。相較于年初的路線圖,
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2019年Q2基帶市場份額:高通和三星爭奪5G基帶市場領(lǐng)導(dǎo)權(quán)
- Strategy Analytics手機(jī)元件技術(shù)研究服務(wù)最新發(fā)布的研究報告《2019年Q2基帶市場份額追蹤:高通和三星爭奪5G基帶市場領(lǐng)導(dǎo)權(quán)》指出,2019年Q2全球蜂窩基帶處理器市場收益年同比下降4%,為50億美元。Strategy Analytics的報告指出,2019年Q2全球蜂窩基帶處理器市場收益份額位居前五名的為:高通、海思半導(dǎo)體、聯(lián)發(fā)科、三星LSI和英特爾。2019年Q2高通以43%的收益份額保持全球基帶市場的領(lǐng)導(dǎo)地位,海思半導(dǎo)體以15%的收益份額排名第二,聯(lián)發(fā)科以14%緊隨其后?!?nbsp
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投入92億元 三星擴(kuò)建電動車電池工廠
- 日前,據(jù)外媒報道,三星SDI對外宣布,公司計劃投入3900億匈牙利福林(約合人民幣92億元),用于擴(kuò)建匈牙利首都布達(dá)佩斯市郊的電動車電池工廠。據(jù)悉,這筆投資將創(chuàng)建約1200個工作崗位,工廠建成后年產(chǎn)能將滿足5萬輛電動車的電池配置需求。 根據(jù)此前報道,匈牙利電池工廠的銷售范圍主要面向當(dāng)?shù)丶皻W洲各國,三星SDI于2016年投入了1000億匈牙利福林(約合人民幣24億元)在匈牙利建立電動車電池工廠。截至目前,公司在匈牙利的總投資額已經(jīng)達(dá)到10億歐元(約合人民幣78億元),未來還將繼續(xù)擴(kuò)大投資,使匈牙利電池工廠
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傳三星將推出Galaxy Note10 Lite版 將有黑紅兩種配色

- 據(jù)外媒sammobile消息,三星正開發(fā)Galaxy Note10 Lite版系列手機(jī)。該款手機(jī)有望比Galaxy Note 10和Galaxy Note 10+更便宜。這款手機(jī)型號已經(jīng)確認(rèn),為“SM-N770F”,將有黑色和紅色兩種配色,將提供128 GB的內(nèi)置內(nèi)存,此外沒有關(guān)于規(guī)格的信息。三星正開發(fā)Galaxy Note10 Lite版系列手機(jī)就產(chǎn)品理念而言,Galaxy Note10 Lite比Galaxy Note 10(SM-N970)更接近Galaxy Note 3 Neo(SM-N750&n
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三星西安半導(dǎo)體二期工廠或?qū)⒚髂暾酵懂a(chǎn)
- 半導(dǎo)體行業(yè)一直是科技行業(yè)的重頭,尤其是今年開始,半導(dǎo)體行業(yè)的重要性愈發(fā)顯得突出,隨著5G物聯(lián)網(wǎng)的正式普及,又會帶動新的一波增長趨勢。近日,根據(jù)可靠消息,半導(dǎo)體行業(yè)巨頭三星正考慮對其在中國西安興建的二期半導(dǎo)體工廠進(jìn)行額外投資,據(jù)透露,三星計劃明年將存儲器芯片設(shè)施的資本支出小幅增加至65億美元。有消息稱,三星西安二期工廠已安裝部分設(shè)備并開始試運行,以檢查量產(chǎn)前的情況,預(yù)計將在2020年2月開始批量生產(chǎn)。2020年5G手機(jī)將掀起一波換機(jī)需求,而中國是重要的市場,同時對大容量NAND Flash需求也會增加,在貿(mào)
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兆易創(chuàng)新融資43億研發(fā)國內(nèi)內(nèi)存 19/17nm工藝追平三星美光

- 2019年國產(chǎn)內(nèi)存實現(xiàn)了0的突破,合肥長鑫前不久宣布量產(chǎn)10nm級DDR4內(nèi)存,核心容量8Gb。除此之外,另外一家存儲芯片公司兆易創(chuàng)新也宣布研發(fā)內(nèi)存,10.1日該公司宣布融資43億元,主要用于研發(fā)1Xnm工藝的內(nèi)存芯片。根據(jù)兆易創(chuàng)新的公告,本次非公開發(fā)行A股股票的發(fā)行對象為不超過10名特定投資者,發(fā)行的股票數(shù)量不超過本次發(fā)行前公司股份總數(shù)的20%,即不超過64,224,315股(含本數(shù))。預(yù)案顯示,兆易創(chuàng)新本次發(fā)行募集資金總額(含發(fā)行費用)不超過人民幣432,402.36萬元(含本數(shù)),扣除發(fā)行費用后的募
- 關(guān)鍵字: 兆易 三星 美光
三星率先開發(fā)出12層3D硅穿孔堆疊:HBM存儲芯片容量提至24GB

- 三星電子宣1布率先在業(yè)內(nèi)開發(fā)出12層3D-TSV(硅穿孔)技術(shù)。隨著集成電路規(guī)模的擴(kuò)大,如何在盡可能小的面積內(nèi)塞入更多晶體管成為挑戰(zhàn),其中多芯片堆疊封裝被認(rèn)為是希望之星。三星稱,他們得以將12片DRAM芯片通過60000個TSV孔連接,每一層的厚度僅有頭發(fā)絲的1/20??偟姆庋b厚度為720μm,與當(dāng)前8層堆疊的HBM2存儲芯片相同,體現(xiàn)了極大的技術(shù)進(jìn)步。這意味著,客戶不需要改動內(nèi)部設(shè)計就可以獲得更大容量的芯片。同時,3D堆疊也有助于縮短數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r間。三星透露,基于12層3D TSV技術(shù)的HBM存儲芯片將
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