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英特爾被訴芯片設計存在缺陷致手機起火
- 據(jù)《財富》雜志北京時間6月13日報道,英特爾公司曾試圖打開智能機處理器市場,但最終空忙一場,損失了數(shù)十億美元?,F(xiàn)在,一家巴西手機銷售商又盯上了英特爾銷售慘淡的移動芯片,認為部分芯片存在缺陷。 巴西手機銷售商Qbex Computadores周一在美國加州地方法院對英特爾提起訴訟。Qbex在起訴書中稱,他們售出了數(shù)千部包含英特爾SoFIA芯片的手機,但是由于英特爾的芯片設計缺陷引發(fā)了過熱問題,這些手機出現(xiàn)了起火現(xiàn)象。Qbex稱,3.5萬名用戶已經(jīng)向其投訴了這一問題,4000名用戶已經(jīng)在巴西提起訴訟
- 關鍵字: 英特爾 芯片
英特爾宣布2020年到2021年間量產(chǎn)7nm
- 根據(jù)外電指出,半導體大廠英特爾(intel)在一項針對投資者的說明會中表示,他們將會在 2020 年量產(chǎn) 7 奈米制程處理器。 這個時間點相較于競爭對手臺積電、格羅方德、三星預計將在 2018 年量產(chǎn) 7 奈米的時程來說來說,已經(jīng)是晚了 2 年的時間。 但是,英特爾在宣布此項計劃的當下還有其但書,那就是萬一制程發(fā)展不順利的情況下,還將延后到 2021 年正式量產(chǎn)。 報導指出,相較臺積電、三星在 10 奈米制程,以及未來的 7 奈米、甚至 5 奈米制程技術(shù)上的推進,英特爾在新制程的轉(zhuǎn)換上是要落后一
- 關鍵字: 英特爾 7nm
NAND閃存的三種架構(gòu):MLC、SLC、MBC
- NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu),即:單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中,MBC以NROM技術(shù)為基礎的NAND閃存架構(gòu),由英飛凌與Saifun合作開發(fā),但該項架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個Cell中存儲1個bit的信息,以達到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點,Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu),其也有很大的缺點,就是面積容量相對比較小,并且由于技術(shù)限制,基本上很難再向前發(fā)展了。
- 關鍵字: MLC 閃存 NAND 英特爾
英特爾:開啟安防攝像頭 自動駕駛車可打擊犯罪

- 北京時間6月6日消息,據(jù)報道,英特爾公司首席執(zhí)行官預測稱,如果作為安防攝像頭發(fā)揮保安功能的話,自動駕駛汽車的數(shù)量或?qū)⒎对鲩L。 那些投資自動駕駛技術(shù)的企業(yè)聲稱,自動駕駛可以減少交通事故的發(fā)生頻次。現(xiàn)在英特爾則就自動駕駛汽車如何打擊犯罪給出具體的說明。 英特爾首席執(zhí)行官布萊恩·科茲安尼克(Brian Krzanich)預測稱,如果被當作安防攝像頭使用的話,自動駕駛汽車的數(shù)量可能會翻倍增長?! ∷诩又莩鱿疌ode Conference間隙接受記者采訪時表示:“我總是說,作為汽車就
- 關鍵字: 英特爾 自動駕駛
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