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這里主要是關(guān)于：DC-DC 升壓電路、DC-DC 升壓模塊原理、如何構(gòu)建DC-DC 升壓電路。一、什么是 DC-DC 轉(zhuǎn)換器？DC-DC 轉(zhuǎn)換器是一種電力電子電路，可有效地將直流電從一個(gè)電壓轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電壓。DC-DC ......
閱讀提示本文5000多字，細(xì)致閱讀大約需要30分鐘關(guān)鍵詞過(guò)壓保護(hù) 比較器 閾值 MOSFET 降額系數(shù)設(shè)計(jì)背景幾乎所有的電子元器件，特別是半導(dǎo)體芯片對(duì)電壓都是敏感的，也就是說(shuō)當(dāng)前級(jí)電源供給后級(jí)元器件或電路模塊的電壓超過(guò)后......
工程師，在研發(fā)設(shè)計(jì)電路項(xiàng)目時(shí)，依據(jù)需要實(shí)現(xiàn)的功能指標(biāo)，進(jìn)行詳細(xì)的電路方案開(kāi)發(fā)與驗(yàn)證；面對(duì)項(xiàng)目的功能電路研發(fā)，工程師一般采用的做法是化整為零，化繁為簡(jiǎn)，也就是將項(xiàng)目的需要實(shí)現(xiàn)的整體功能逐一分解拆散，拆散成眾多的小功能。例如......
1、二極管防反接二極管防反描述：采用二極管進(jìn)行保護(hù)，電路簡(jiǎn)單，成本低，占用空間少，但是二極管PN結(jié)在導(dǎo)通時(shí)，會(huì)存在一定的壓降，一般在0.5V左右（主要根據(jù)選型的二極管參數(shù)決定）2、采用NMOS防護(hù)如下圖，上電瞬間，MOS......
在過(guò)去十年中，汽車(chē)行業(yè)經(jīng)歷的最大變革在于軟件定義車(chē)輛的興起。傳統(tǒng)的車(chē)輛設(shè)計(jì)中，針對(duì)如動(dòng)力總成系統(tǒng)或信息娛樂(lè)系統(tǒng)等特定功能，均配備有專(zhuān)用的硬件子系統(tǒng)。為了滿(mǎn)足車(chē)型快速升級(jí)的需求，通過(guò)構(gòu)建模塊化、靈活的子系統(tǒng)（也稱(chēng)為“區(qū)域”......
在本文中，我們將使用SPICE仿真來(lái)探索負(fù)電壓的理論和行為。在之前的一篇文章中，我提供了負(fù)電壓的主要理論解釋。我想繼續(xù)這個(gè)話(huà)題，展示負(fù)電壓的作用，并結(jié)合解釋?zhuān)@將有助于加強(qiáng)我們對(duì)負(fù)電壓的理解。要做到這一點(diǎn)，我們將在這里使......
了解如何使用LTspice模擬來(lái)提供對(duì)開(kāi)關(guān)電容器電壓反相電源性能的重要見(jiàn)解。之前，我寫(xiě)了一篇文章，解釋了負(fù)電壓的基本原理，我在LTspice實(shí)驗(yàn)室繼續(xù)了這一主題，該實(shí)驗(yàn)室使用模擬來(lái)闡明負(fù)電壓是電路中產(chǎn)生的。作為L(zhǎng)Tspi......
在這篇文章中，我們使用磁場(chǎng)強(qiáng)度的概念來(lái)幫助解釋復(fù)雜磁導(dǎo)率如何模擬磁芯的損耗。磁導(dǎo)率是用于電氣元件的鐵磁材料的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，它將材料內(nèi)部的磁場(chǎng)與外部場(chǎng)聯(lián)系起來(lái)。在非常低的頻率下，實(shí)值磁導(dǎo)率可以描述材料的磁化強(qiáng)度。然而，在更......
氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體在 20 世紀(jì) 90 年代初首次作為高亮度藍(lán)色發(fā)光二極管 (LED) 投入商業(yè)應(yīng)用，隨后成為藍(lán)光光盤(pán)播放器的核心技術(shù)。自此以后雖已取得長(zhǎng)足進(jìn)步，但在將近二十年后，該技術(shù)才因其......
本文解釋了CMOS反相器電路中的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發(fā)展是技術(shù)史上的一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數(shù)字系統(tǒng)的電氣特性。CMOS的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它的效率。CM......
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