使用IR新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺(tái)，第八代 (Gen8) 1200V IGBT 配備新一代溝道柵極場(chǎng)截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越性能。全新的 Gen8 設(shè)計(jì)可讓高性能 Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。
新技術(shù)針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供更好的軟關(guān)斷功能，有助于把 dv/dt 降到最低，從而減少電磁干擾、抑制過壓，從而提升可靠性與耐用性。這個(gè)平臺(tái)的參數(shù)分布較窄，在高電流功率模塊內(nèi)并聯(lián)起多個(gè) IGBT 之時(shí)，可提供出色的電流分配。薄晶圓技術(shù)則改善了熱電阻和達(dá)到 175°C 的最高結(jié)溫。
開關(guān)特性
對(duì)于IGBT的另外一個(gè)要求是在關(guān)斷時(shí)具有很低的過沖電壓，從而將傳導(dǎo)和輻射EMI降至最低，同時(shí)防止IGBT出現(xiàn)過壓故障。
為了將系統(tǒng)寄生電感所帶來的過沖電壓最小化，IGBT必須在關(guān)斷事件中具有低di/dt。圖2顯示了在ICE = 100A時(shí)的關(guān)斷特性，此時(shí)測(cè)量的總線電壓VCE(ON) = 600V，Tj = 150 oC，外部Rg = 0。從這些波形因數(shù)中，可以看出在幾個(gè)被測(cè)試的IGBT中，Gen 8 IGB具有最低的過沖電壓。Gen 8 IGBT的過沖電壓不到750V。
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