小小的電源開關可如何拯救世界(08-100)
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絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 雖然包含了兩個元件而非一個，卻沒有因此而更復雜。
本文引用地址：http://www.bjwjmy.cn/article/91747.htm 
圖3 右邊的符號圖簡單闡明了雙極型晶體管是如何被MOSFET所驅動，左圖給出了采用硅技術實現(xiàn)時該器件的垂直結構
由于MOSFET的開關頻率可以更高 (因此電感更小)，故那些需要相對較低電流和快速開關工作或I-V線性特性的應用產品通常都采用MOSFET來構建，而那些功率較高的、并且需要更大增益和更大電流及中速開關工作的應用一般采用IGBT來構建。IGBT的擊穿電壓也更容易提高，對于功率較高的系統(tǒng)，最常見的值為1200V、1700V和3500V，而這對MOSFET而言幾乎是不可能的，更遑論商業(yè)用了。
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