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5V到3.3V的電源方案(07-100)

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作者: 時(shí)間:2008-04-18 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  采用三個(gè)整流二極管的低成本

本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/81747.htm

  也可以用三個(gè)正向串聯(lián)開關(guān)二極管降壓為MCU供電(圖2)。這比齊納二極管更經(jīng)濟(jì)。這種電路吸入的電流比用齊納二極管要小。根據(jù)所選二極管正向壓降是流經(jīng)二極管電流的函數(shù)。電阻R1保持MCU的VDD電壓不超過(guò)最小負(fù)載(當(dāng)MCU處于復(fù)位或休眠狀態(tài)時(shí))時(shí)的最大VDD。所選二極管D1-D3必須在最大負(fù)載(MCU處于運(yùn)行狀態(tài))時(shí)跨接在D1-D3上的壓降足夠小,以滿足MCU最小VDD要求。

  采用開關(guān)方案

  圖3所示降壓開關(guān)是一種電感器基變換器,用于降壓輸入電壓源到較低的輸出電壓??刂芃OSFET Q1的導(dǎo)通時(shí)間可實(shí)現(xiàn)輸出調(diào)整。由于MOSFET是處于低或高電阻狀態(tài)(分別為ON或OFF),所以高的源可以非常有效地變換到較低的輸出電壓。

  在Q1兩個(gè)狀態(tài)(ON和OFF)期間平衡電感器的電壓一時(shí)間可以建立輸入和輸出之間的關(guān)系:

  (VS-VO)×ton=VO×(T-ton)

  其中T=ton/Duty-Cycle

  MOSFET Q1占空比為:

  Duty-CycleQ1=VO/VS

  電感器值的選擇原則是:所選其數(shù)值使在電感器中所產(chǎn)生的最大峰一峰值紋波電流等于最大負(fù)載電流的10%:

  V=L×(di/dt)

  L=(VS-VO)×(ton/IO×0.10)

  選擇輸出電容器值的原則是:置LC濾波器特性阻抗等于負(fù)載阻抗。這使得工作在滿載和負(fù)載突然去除時(shí)所產(chǎn)生的電壓過(guò)沖在可接受的范圍內(nèi)。

  ZO=

  C=L/R2=(IO2×L)VO2

  D1二極管選擇原則是:所選器件有足夠的電流額定值來(lái)處理脈沖周期放電期間的電感電流。(冰)

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