本發(fā)明公開了倒裝焊結構發(fā)光二極管及其制造方法，包括：在散熱基板上制作第一金屬層，并分別形成ｐ電極區(qū)和ｎ電極區(qū)；在所述第一金屬層上形成金屬凸點陣列；在ＬＥＤ芯片的ｐ、ｎ電極上形成第二金屬層；將所述ＬＥＤ芯片的ｐ電極和ｎ電極分別對應所述散熱基板上的ｐ電極區(qū)和ｎ電極區(qū)鍵合，并對相接觸的第二金屬層和金屬凸點陣列加壓、加超聲、加熱。本發(fā)明的倒裝焊結構發(fā)光二極管，包括：一散熱基板；第一金屬層，位于所述散熱基板之上，包括了ｐ電極區(qū)和ｎ電極區(qū)；金屬凸點陣列，位于所述第一金屬層上的ｐ電極區(qū)之上；ＬＥＤ芯片，所述ＬＥＤ芯片的ｎ電極位于所述第一金屬層的所述ｎ電極區(qū)之上，所述ＬＥＤ芯片的ｐ電極位于所述第一金屬層的所述ｐ電極區(qū)之上。