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兼顧高耐壓與低Vce性能的650V溝槽IGBT受熱捧

作者: 時(shí)間:2014-01-18 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
狀態(tài)下表現(xiàn)出優(yōu)異的消長(zhǎng)狀況,此兩種電流為大多數(shù)應(yīng)用的實(shí)際運(yùn)作電流。

本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/226809.htm

兼顧高耐壓與低Vce性能的650V溝槽IGBT受熱捧

圖3 逆變器採(cǎi)用不同IGBT在10安培、20安培電流情況的效率表現(xiàn)

基于前述比較結(jié)果,可進(jìn)一步估算系統(tǒng)中的功率損耗。假定目標(biāo)系統(tǒng)為3kW額定混頻全橋式逆變器,內(nèi)建兩個(gè)低端IGBT以線頻進(jìn)行切換,兩個(gè)高端IGBT以17kHz進(jìn)行切換,圖4即為其功率損耗估算摘要。為驗(yàn)證功率損耗估算,可分別採(cǎi)用50安培/650伏特IGBT,以及功率損耗與其類似的3號(hào)IGBT做評(píng)比。兼顧高耐壓與低Vce性能的650V溝槽IGBT受熱捧

圖4 新型IGBT與其他競(jìng)爭(zhēng)方案的功率損耗預(yù)估

如圖5所示,3kW系統(tǒng)在滿載時(shí),3號(hào)IGBT與50安培/650伏特IGBT的功耗相當(dāng)接近,此狀況完全符合估算,此外,效率斷層會(huì)隨著負(fù)載減少而逐漸變大,此狀況亦符合圖3的效率變化,在低電流位準(zhǔn)時(shí),50安培/650伏特IGBT的表現(xiàn)最優(yōu)異。

兼顧高耐壓與低Vce性能的650V溝槽IGBT受熱捧

圖5 混頻全橋式逆變器應(yīng)用不同IGBT的效率比較

新型650伏特場(chǎng)截止溝槽式IGBT已于近期問(wèn)世,且效能亦已通過(guò)系統(tǒng)廠評(píng)估,相較于舊型IGBT,新方案提供更好的DC及交流電(AC)特性,且抗短路時(shí)間及漏電流問(wèn)題均有改善,可支援效率更高且更可靠的轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)。


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