為響應(yīng)客戶對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的迫切需求，國(guó)內(nèi)熱壓鍵合（TCB）設(shè)備領(lǐng)先企業(yè)普萊信正式成立TCB實(shí)驗(yàn)室。該實(shí)驗(yàn)室旨在為客戶提供覆蓋研發(fā)、打樣至量產(chǎn)的全閉環(huán)支持，重點(diǎn)服務(wù)于四大前沿封裝領(lǐng)域：一、2.5D封裝：如CoWoS-S、CoWoS-L封裝等；二、3D封裝：如HBM的多層DRAM芯片堆疊鍵合；三、光電共封（CPO）、oDSP和光模塊相關(guān)封裝：如PIC（光子芯片）/EIC（電芯片）與ASIC（電子交換芯片）異質(zhì)集成；1.6T光模塊的oDSP（數(shù)字信號(hào)處理器），隨著芯片變大，傳統(tǒng)的SMT+回流焊工藝容易導(dǎo)致翹曲，采用TCB熱壓鍵合工藝，能完美解決大芯片翹曲問(wèn)題；四、特種需求：軍工/醫(yī)療芯片的抗沖擊封裝、低溫鍵合等定制化開(kāi)發(fā)。

TCB成為突破先進(jìn)封裝瓶頸的關(guān)鍵

隨著芯片制程迭代與算力需求爆發(fā)，高端芯片（如GPU H100/H200、HBM及oDSP等）正向更大尺寸、更高I/O密度、更小微凸點(diǎn)（Bump）方向演進(jìn)。傳統(tǒng)倒裝回流焊工藝在貼裝精度、翹曲控制、熱漂移、空洞率等的不足，導(dǎo)致良率低、失效多，尤其當(dāng)Bump間距＜50μm或芯片面積增大時(shí)失效風(fēng)險(xiǎn)劇增。熱壓鍵合（TCB）通過(guò)局部加熱頭（Bond Head）對(duì)單個(gè)凸點(diǎn)精準(zhǔn)施加熱量（150–300℃）與壓力（10–200 MPa），在惰性氣體腔體內(nèi)實(shí)現(xiàn)微米級(jí)對(duì)位與鍵合，實(shí)時(shí)監(jiān)控溫度-壓力-位移曲線，并支持無(wú)助焊劑（Fluxless）工藝，形成可靠互連，成為突破先進(jìn)封裝瓶頸的核心方案。

TCB相對(duì)于倒裝回流焊的優(yōu)勢(shì)對(duì)比

TCB技術(shù)的核心優(yōu)勢(shì)：一、高密度互連能力：支持每平方毫米10,000個(gè)凸點(diǎn)（倒裝焊僅~2,000），滿足HBM多層DRAM芯片堆疊鍵合、CoWoS硅中介層等2.5D/3D封裝需求； 二、翹曲抑制：局部加熱+共面性校準(zhǔn)（誤差＜3μm），解決大尺寸芯片（如英偉達(dá)H系列＞800mm2）因CTE差異導(dǎo)致的邊緣脫焊問(wèn)題； 三、工藝靈活性：兼容TC-NCF和MR-MUF等不同鍵合材料，適配多場(chǎng)景； 四、邁向先進(jìn)制程：支持下一代HBM4的無(wú)助焊劑鍵合，為3μm以下凸點(diǎn)間距鋪路。

Loong系列TCB設(shè)備助力國(guó)產(chǎn)芯突破

隨著AI芯片與HBM需求爆發(fā)（TCB設(shè)備市場(chǎng)2027年將達(dá)15億美元），傳統(tǒng)回流焊在精度與良率上已無(wú)法支撐摩爾定律延續(xù)。TCB通過(guò)局部熱壓控制實(shí)現(xiàn)微米級(jí)互連，成為HBM堆疊、大算力芯片封裝的剛需工藝。普萊信憑借Loong系列打破國(guó)際壟斷，其開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室為CoWoS、CPO及特種領(lǐng)域提供快速打樣通道，是國(guó)內(nèi)發(fā)展先進(jìn)封裝的關(guān)鍵支點(diǎn)。未來(lái)隨著HBM層數(shù)增至16+層及Bump直徑進(jìn)一步微縮，TCB技術(shù)壁壘將持續(xù)提升，而國(guó)產(chǎn)設(shè)備的成熟將加速本土產(chǎn)業(yè)鏈話語(yǔ)權(quán)重構(gòu)。