P功率半導體封裝中集成了脈寬調制(PWM)控制、柵極驅動功能以及內部功率MOSFET。這種先進的集成度讓設計人員利用較少的外部元件即可獲得高達420W的極高效率。把這三大關鍵功能整合在單個封裝中，可避免對ZVS所需的死區(qū)時間的編程任務，并把內部驅動器與MOSFET之間的柵極驅動寄生電感減至最小。SIP功率封裝中的功耗大部分源于內部MOSFET的開關，因此需要一個小型擠壓式散熱器，尤其是對無強制空氣冷卻的300W設計。

　　總的AC-DC 系統(tǒng)包括輸入EMI濾波器、橋式整流器、交錯式BCM PFC 和 AHB DC-DC，它獲得的總體效率如圖6所示。在Vin=120VAC時，該設計峰值效率為91%；Vin=230VAC 時為92% ；Vin=120VAC 或 230VAC ，以及POUT>38% (114W)時，大于90%。

圖6. 測得的總體系統(tǒng)效率(包含了EMI濾波器)

　　磁性元件設計、功率半導體選擇、PCB版圖、散熱器選擇以及控制器特性，所有這些都必須完全協(xié)同工作，才能成功實現(xiàn)一個在大負載范圍上可獲得高效率的小型AC-DC電源設計。對于一個特定應用，根據(jù)系統(tǒng)的具體要求，可能有一個以上的理想解決方案。本文討論的設計只是從普通AC輸入到需要PFC和高度僅18mm的小型 12V、 300W設計獲得高效率的一個例子。