當(dāng)次級(jí)端的輸出二極管上的電流減少為零時(shí)，此時(shí)輔助繞組上的電壓會(huì)因?yàn)樽儔浩鞯碾姼信cMOSFET 上輸出電容 COSS 產(chǎn)生諧振，直到 MOSFET 再次導(dǎo)通。

圖 2, 控制器的輸出波形

其中 LP 為變壓器初級(jí)端的感量；ton 為MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間；NAUX/NS 為變壓器輔助繞組與次級(jí)端繞組的圈數(shù)比；VO 為輸出電壓；VF 為次級(jí)端輸出二極管的正向?qū)妷骸?p>這個(gè)采樣的方式同樣可以取得變壓器的放電時(shí)間 tdis，如圖 2 所示，次級(jí)端輸出二極管上的電流平均值會(huì)等于輸出電流 IO，因此輸出電流 IO 可以藉由 ipk 與 tdis 表示為式 (3)

其中 tS 為 PSR 控制器的開關(guān)周期；NP/NS 為初級(jí)端與次級(jí)端的圈數(shù)比；RSENSE 為初級(jí)端電流取樣電阻。

實(shí)際實(shí)現(xiàn)一個(gè)5W的充電器，輸出規(guī)格的定義為5V/1A。控制器采用FSEZ1216，這個(gè)PSR控制器集成了 600V 的高壓 MOSFET，因此可以減少驅(qū)動(dòng)MOSFET 的線路與 PCB 走線的干擾。而為了要降低待機(jī)損耗，PSR控制器內(nèi)部的省電模式將會(huì)在輕載時(shí)線性地降低 PWM 的頻率，達(dá)到目前電源規(guī)范省電的需求；跳頻機(jī)制提升 EMI 的效能，同時(shí)充電器的輸出電壓會(huì)因配備較長(zhǎng)的輸出纜線而導(dǎo)致輸出電壓降低，也可利用內(nèi)部補(bǔ)償機(jī)制提升輸出電壓的調(diào)節(jié)能力。

此技術(shù)利用采樣變壓器初級(jí)端的輔助繞組上的電壓達(dá)到輸出端的恒定電流與恒定電壓的調(diào)節(jié)，這樣的優(yōu)點(diǎn)可以節(jié)省傳統(tǒng)采用次級(jí)端反饋線路、光藕合器與次級(jí)端偵測(cè)電流電阻等組件。