提高繼電器觸點抗浪涌能力的一種新穎旁路保護電路
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圖中：R1、R2、R3、R4、R5為電阻器；
C1、C2為鉭電容器；
G1為光耦器件；
VT1為P溝道MOSFET；
K1為繼電器觸點。
工作原理如下：
在驅動信號接通后，線圈加電，繼電器的吸合為機械動作過程，接通時間為5～15ms。
浪涌旁路保護電路與繼電器線圈同步接收驅動信號，G1導通前，VT1柵極電壓與功率線輸入正端電壓U1相等，VT1為截止狀態(tài)。
G1導通后，功率線輸入正端電壓U1經R2、R3為電容C1充電，C1在充電開始階段，VT1柵極電壓通過公式1計算，忽略光藕器件的導通時間，此時VT1為導通狀態(tài)。
隨C1電壓不斷上升，VT1柵極電壓逐漸升高，當C1充電完成后，VT1柵極電壓與功率線輸入正端電壓U1相等，VT1為截止狀態(tài)，VT1管導通時間取決于R2、R3及C1參數與VT1管柵極閾值電壓，忽略光耦器件的導通時間(通常小于1μs)，導通時間通過公式(2)計算。
式中：UGS(TH)為VT1管開啟電壓；
C為電容器C1容值；
U1功率線輸入正端電壓；
t為VT1為導通時間。
通常，繼電器驅動信號為脈沖信號，高電平持續(xù)時間t1為80ms，在脈沖信號為高電平時，忽略光藕器件的導通時間，VT1立即為導通狀態(tài)；在脈沖信號為低電平時，忽略光藕器件的截止時間，VT1立即為截止狀態(tài)。
根據以上分析，得到以下結果：
(1)在脈沖信號為高電平時，VT1立即導通；
(2)若通過公式(2)中計算出t小于驅動信號高電平持續(xù)時間t1，則VT1導通時間可通過公式2計算出。
(3)若通過公式(2)中計算出t大于驅動信號高電平持續(xù)時間t1，則VT1導通時間等于驅動信號高電平持續(xù)時間t1。
4 仿真驗證
利用SABER軟件，得到R5處電路仿真結果見圖3。本文引用地址：http://www.bjwjmy.cn/article/176494.htm
通過仿真，可以看出，MOSFET管導通時間為80ms左右。
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