三相全橋逆變電路選用6個功率MOSFETRFP40N10、一片IR2130和一些電阻電容而組成。其主要特點為：
(1)驅(qū)動芯片IR2130內(nèi)置了2．5μs的死區(qū)時間；防止同一橋臂的上下兩個MOSFET同時導通，使電源電壓短路，電源不通過電動機。這避免了功率驅(qū)動電路在硬件系統(tǒng)上電瞬間IR2130的誤輸出。
(2)功率驅(qū)動電路采用上橋臂功率MOSFET管進行PWM調(diào)制的方式控制。
在調(diào)制過程中，自舉電容只有在高端器件(上橋臂MOSFET管)關斷時，VS的電位被拉到功率地時自舉電容才被充電。因此，同一橋臂上的下橋臂器件開通時間(上橋臂器件關斷時間)應足夠長，以保證自舉電容的電荷被充滿，當上橋臂開通時維持上橋臂有足夠的時間導通。
(3)由于功率驅(qū)動電路的上橋臂三路高壓側柵極驅(qū)動電源是通過自舉電容充電來獲得的，因此與IR2130供電電源連接的二極管，其反向耐壓必須大于被驅(qū)動的功率MOSFET管工作的峰值母線電壓。為了防止自舉電容兩端的放電，二極管要選用高頻的快恢復二極管，功率驅(qū)動電路選用FR104，它的最大反向恢復時間為150 ns，最大反向耐壓400 V。