羅姆開(kāi)發(fā)出超低IR肖特基勢(shì)壘二極管
作者：
時(shí)間：2012-06-26
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
收藏
加入技術(shù)交流群
掃碼加入
和技術(shù)大咖面對(duì)面交流
海量資料庫(kù)查詢(xún)
<規(guī)格>
本文引用地址：http://www.bjwjmy.cn/article/133946.htm
<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>
?肖特基勢(shì)壘二極管(Schottky-Barrier Diode：SBD)
使金屬和半導(dǎo)體接觸從而形成肖特基結(jié)，利用其可得到整流性(二極管特性)的二極管。具有“正向壓降少、開(kāi)關(guān)速度快”的特點(diǎn)。主要用于開(kāi)關(guān)電源等。
?快速恢復(fù)二極管(Fast Recovery Diode： FRD)
正向施加的電壓向反向切換時(shí)，反向電流瞬間流過(guò)。這種電流到零之間的時(shí)間―即反向恢復(fù)時(shí)間快的一種二極管。
?VF ( Forward Voltage)
是指正向電流經(jīng)過(guò)時(shí)二極管產(chǎn)生的電壓值。數(shù)值越小功耗越少。
?IR(Reverse Current)
是指施加反向電壓時(shí)發(fā)生的反向電流。數(shù)值越小功耗越少。
?熱失控
反向損耗超過(guò)散熱，損耗進(jìn)一步增加，產(chǎn)品溫度呈指數(shù)級(jí)上升的狀態(tài)。
模擬電路相關(guān)文章:模擬電路基礎(chǔ)
評(píng)論